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一、光刻整个过程及其用途，光波波长对曝光的影响？ 光刻是一种图形转移技术，利用辐照的方法将掩膜板上的图形转移到光敏材料上，其过程主要有：掩膜板制作、基底表面预处理、涂胶、曝光（将掩膜板上的图形转移到光敏材料上）、显影和坚膜、去胶烘干。 光源的波长短，曝光后获得更高的分辨率。 LIGA技术最合适的光源波长为0.2—0.8nm，波长过长，能量易被上面的光刻胶吸收，而使光刻胶表面曝光过量，底层光刻胶却达不到所要求的曝光剂量，造成图像损坏；波长过短，造成光刻胶底部曝光，显影后产生光刻胶与基板的黏结问题。 二、湿法刻蚀和干法刻蚀的概念？两者共同点和区别及其在mems中的应用？ 湿法刻蚀：利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶体部分氧化分解，然后通过化学反应使一种或多种氧化物或络合物溶解来达到去除目的，包括化学腐蚀和电化学腐蚀。 干法刻蚀：利用辉光的方法产生带电离子以及具有高度化学活性的中性原子与自由基，用这些粒子和晶片进行反应达到光刻图形转移到晶片上的技术。包括离子溅射刻蚀，等离子反应刻蚀等。 异同点：两者都是选择性的清除薄膜层上无遮蔽部分的工艺过程，通过刻蚀形成体硅微结构。但湿法刻蚀采用化学腐蚀的工艺方法，而干法刻蚀采用的是物理腐蚀的工艺方法。此外，湿法刻蚀成本比较低，不需要太昂贵的装置和设备，应用比较广泛；干法刻蚀需要专用的装置和设备，如真空环境，成本较高，但刻蚀速度快、分辨率高且易于自动化操作。 MEMS中应用：应用于体硅微制造，通过刻蚀有选择性地去除基底材料以形成所需的微结构。 湿法刻蚀应用：砷化镓的湿法刻蚀；SiO2膜的湿法刻蚀；磷硅玻璃(PSG)湿法刻蚀；混合氧化物的湿法刻蚀；氮化硅的湿法刻蚀；多晶硅和半绝缘多晶硅的湿法刻蚀；硅化物薄膜的湿法刻蚀；金属薄膜的湿法刻蚀等。 干法刻蚀应用：干法刻蚀加工避免了由于液态刻蚀剂的毛细管现象而引起的光刻胶的钻蚀问题，有溅射刻蚀、离子铣、反应离子刻蚀和等离子刻蚀等，包含物理反应和化学反应。适用于线宽较小的STAGE，适用于半导体、绝缘体和导体等材料。 三、体硅加工和面硅加工的主要加工方法、加工过程及其在mems中的应用？ 体硅加工工艺是指对硅衬底片进行加工，获得由衬底材料构成的有用部件的技术。 体硅加工方法：湿法刻蚀、干法刻蚀、干湿混合刻蚀、LIGA技术及DEM技术。 湿法刻蚀：将被腐蚀材料先氧化，然后由化学反应使其生成一种或多种氧化物再溶解。 干法刻蚀：物理作用为主的离子溅射和化学反应为主的反应离子腐蚀兼有的反应溅射。过程：（1）腐蚀性气体粒子的产生；（2）粒子向衬底的传输；（3）衬底表面的腐蚀；（4）腐蚀反应物的排除。 干湿混合刻蚀：制造波导等新的微结构装置。 LIGA技术：X光深度同步辐射光刻——电铸制模——注塑 DEM技术：由深层刻蚀工艺、微电铸工艺、微复制工艺三部分组成。可对金属、塑料、陶瓷等非硅材料进行高深宽比三维加工。 体硅加工工艺：定义键合区——扩散掺杂——形成金属电极——硅/玻璃阳极键合 ——硅片减薄——ICP刻蚀 面硅加工方法：薄膜制备的外延生长热氧化、化学沉积、物理沉积、光刻、溅射、电镀等。该技术能够用二氧化硅、多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃等加工三维较小尺寸的微器件。 面硅加工工艺：下层电极——牺牲层——刻蚀支撑点——沉积多晶硅——刻蚀多晶硅——释放结构 表面硅加工技术的关键是硅片表面结构层和牺牲层的制备和腐蚀，以硅薄膜作为机械结构。这种工艺可以利用与集成电路工艺兼容或相似的平面加工手段，但它的纵向加工尺寸往往受到限制（2-5um）。体硅未加工工艺是用湿法或干法腐蚀对硅片进行纵向加工的三维加工技术，但他与集成电路平面工艺兼容性不太好。 四、键合的概念？有几种形式、有何用途？ 键合是将两片或多片加工好的、具有不同的结构、材料的芯片连接成一个完整微系统的技术手段，是微系统封装技术的重要组成部分。 键合技术主要有静电键合（或阳极键合）和硅烧融键合。 硅烧融键合又分硅-硅基片的直接键合和硅-硅基片的间接键合。 ① 阳极键合技术：用于硅—硅基片之间及非硅材料与硅材料的键合，还大量应用于微机械的制造技术，及其微机电系统的组封装技术，大面积场发射阵列的制备。 ② 硅—硅基片直接键合：用于微临界压力传感器和微压力传感器等方面。 ③ 硅—硅间接键合技术：用胶水，低温玻璃等。 五、单晶硅、氮化硅、二氧化硅与多晶硅的区别和用途？ 硅有晶态和无定形两种同素异性体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅。 单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，整个晶体内都是周期性的规则排列，是一种良好的半导材料，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，是制造半导体硅器件的原料，MEMS衬底材料采用单晶硅。 氮化硅：是一种不活泼的致密材料，腐蚀较为困难。用于绝缘层。 二氧化硅：其腐蚀速度