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MEMS基本结构加工工艺 王晓浩 wangxh@ntl.pim.tsinghua.edu.cn MEMS基本结构 坑、沟、槽 薄膜、梁 凸台、质量块 电容 电阻 线圈 引线 坑、沟、槽的制备 湿法体硅腐蚀 二氧化硅 单晶硅 等离子干法腐蚀 氮化硅 单晶硅 高深宽比结构（ICP、ECR） 单晶硅 薄膜、梁 直接腐蚀，控制反应时间 牺牲层腐蚀 自停止腐蚀（重掺杂） SOI 电镀 非表面薄膜的制备（体硅腐蚀） 凸台和质量块 体硅腐蚀 梁或平面+电镀 防削角措施 基本电子元件 电容 单芯片形成电容 多芯片组装形成电容 电阻 电感（平面线圈） 基本线圈制备 带软磁材料芯的线圈 PZT压电材料的制备 溅射（厚度低） 制作专用溅射靶，进行溅射 溅射靶和目标浓度区别 烧结（厚度中等） PZT粉末+有机溶剂，涂覆 150?C烘干10分钟，950?C烧结1小时 SOL-GEL（大厚度） 原料：醋酸铅，异丙醇钛，丙醇锆，溶剂 加水解物，按配比涂覆，烘干 高分子材料：聚酰亚胺工艺 高分子材料用于结构层：类似于光刻胶，表面粘附性好，台阶覆盖性好 光敏聚酰亚胺(PSPI：photosensitive polyimide) 光敏聚酰亚胺可以直接光刻显影成形，经过亚胺化去掉光敏基团后，性能稳定，并与硅片有很强的粘附性，在一定程度上能够抗碱性腐蚀液，膜厚可做到30?m以上。 聚酰亚胺的分子结构有利于在加热时发生进一步的环化反应，产生更稳定的大共轭环状结构体系，这一过程称为亚胺化。 光敏聚酰亚胺基本性能 光敏聚酰亚胺工艺参数 光刻 甩胶：1100rpm，水平放置0.5~2h，自动均匀化； 预烘：温度通常在90℃左右，10分钟； 曝光：在300W汞灯下曝光2分钟左右； 显影：专用显影液2分钟左右，加超声； 坚膜：温度120℃～140℃，时间30分钟左右。 亚胺化 从100℃起，缓慢升温到300℃，6~7小时，300℃保持2小时； 从100℃起，每次升温50℃，保温1.5~2小时，直至300℃保温2小时。 MEMS工艺专题作业 2000年后参考文献上查找某种MEMS器件的制作工艺，要求所用工艺环节不少于5种。 课题与MEMS相关的，可以针对自己的设计做报告。 读懂制作过程，写出工艺报告。 报告包括工艺简图和流程说明。 EMAIL：wangxh@ntl.pim.tsinghua.edu.cn Deadline：2002年4月20日 * * * * * *
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