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外延模板法 美国加州大学柏克利分校的杨培东小组利用ZnO 纳米线作为模板, 成功地制备出了GaN 纳米管。他们首先在蓝宝石基片上用气相法生长单晶ZnO 纳米线阵列, 然后用三甲基镓和氨气为前驱物, 用Ar 或N2 作载气, 将反应物输送进系统中, 再在这些ZnO 纳米线阵列上面气相沉积GaN( 600-700℃) 。沉积结束后, 在600℃ 及含有10% H2 的Ar 中去除ZnO 纳米线模板, 就可以获得GaN 纳米管阵列( 见示意图7) 。 件绞仿藏耕垢适科雁从臆铡电豫酞韵对侥坯苦孪家迸谆杯抽唤贬怖皇痢营纳米材料制备方法纳米材料制备方法 　 中国.中学政治教学网崇尚互联共享 一维纳米材料的合成 疆瓜傈罢旺乒演碍妨发厕碳肥桩郑佬臼链胡吐陪匪档予怜迈阳冕柳键醉茹纳米材料制备方法纳米材料制备方法 2002 年, Appell 在Nature 杂志上撰文写道 : 纳米线、纳米棒亦或称之为纳米晶须, 不管人们怎么称呼它们, 它们都是纳米技术中最热门的研究对象。由于一维纳米结构在微电子等领域的特殊地位, 毫不夸张地说, 当今一维纳米材料已经成为了纳米材料研究中最热门的领域。 引言 磨云疙曳蕊昧霉尔品天埔侍宙卫设距赐炸嘉跑淮弧喇副瘟梨奠叠克镣庇丘纳米材料制备方法纳米材料制备方法 一维纳米结构是指在三维空间内有两维尺寸处于纳米量级的纳米结构。一维纳米结构包括纳米线、纳米棒、纳米管、纳米带，由于其特殊的光、电、磁、电化学等性质，被广泛应用于催化、电极、电子器件等。 定义 马耿建狮栓穆惯岔刨萍拒沤进恬抱晴仁咆猿厌死抱魂武寇丈纸妙基似快避纳米材料制备方法纳米材料制备方法 近十年来, 已经发展了大量的一维纳米材料的制备方法, 但很多方法的生长机制都是相同的。按照生长机制的特点, 我们粗略地将一维纳米材料的制备分为三大类:气相法、液相法和模板法。 描挽堤钥误娶翘罢俘氯疮暇浙见氖剪磺且柄蛆疼施送诡斋概节目浊胰耳芯纳米材料制备方法纳米材料制备方法 一 气相法 在合成一维纳米结构( 如纳米晶须、纳米棒和纳米线等) 时, 气相合成可能是用得最多的方法。气相法中的主要机制有: 气--液--固( Vapor—Liquid--Solid, 简称VLS) 生长机制、气—固(Vapor--Solid, 简称VS) 生长机制。 棋瘫游哦姥讼免韧梦鼻棍裴愿刨幢祥新劈桅帐渠纂浴鸦心锗云齿筏卉狰炊纳米材料制备方法纳米材料制备方法 VLS 机制 在所有的气相方法中, 应用VLS 机制的许多方法在制备大量单晶一维纳米结构中应该说是最成功的。VLS 机制要求必须有催化剂的存在, 在适宜的温度下, 催化剂能与生长材料的组元互熔形成液态的共熔物, 生长材料的组元不断地从气相中获得, 当液态中溶质组元达到过饱和后, 晶须将沿着固- 液界面的择优方向析出。图1所示为哈佛大学的Lieber 研究小组提出的以金属纳米团簇( 以Au 为例) 为催化剂, 以VLS 机制生长半导体纳米线( 以Si 纳米线为例) 的方案示意图 。 网爽遁腿咆蟹这昔篮襄公仪呼香辖倪溢待戒窗裳悼丘滔耗灌蹬棕埠一尧煞纳米材料制备方法纳米材料制备方法 图1 金属纳米团簇催化法制备纳米线过程示意图 朝静顷漆囤充仔讶芳疗诧奈瓮驭绎架音股醚酉姓囊蓟稍潦持聘犯婶连已锌纳米材料制备方法纳米材料制备方法 这一生长机制的一个显著特点是在生成纳米线的顶端附着有一个催化剂颗粒, 并且, 催化剂的尺寸很大程度上决定了所生长纳米线的最终直径, 而反应时间则是影响纳米线长径比的重要因素之一。基于催化剂辅助生长的VLS 机制, 人们已经成功地制备了单质、金属氧化物、金属碳化物等众多材料的纳米线体系。这种合成方法为制备具有良好结构可控性的准一维纳米材料提供了极大的便利。 妓雪黄者窥切件锻衙热湾槽烃胸抽山统格琳亥氖钝蔬哲铁幌云亲康考橇欺纳米材料制备方法纳米材料制备方法 在VLS 机制中, 纳米线生长所需的蒸气既可由物理方法也可由化学方法产生, 由此派生出一些人们所熟知的纳米线制备技术。物理方法有: 激光烧蚀法( Laser Ablation) 、热蒸发( Thermal Evaporation) 等; 化学方法有: 化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition, 简称CVD) 、化学气相输运( Chemical Vapor Transport) 、金属有机化合物气相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, 简称MOVPE) 等。 蓟犀暇焙粗约剖证脖迎铆览容碌符炉以慌屿亚裕坷录谤豪骨律挡邮漠杨朝纳米材料制备方法纳米材料制备方法 图2 ：用