X光与电镜(第八讲32426)(阅读).pptVIP

2.干涉函数 设参加衍射的晶体为平行六面体， 三棱边为， 为点阵基矢方向上的阵点数， 求散射体外某一点的相干散射振幅和强度 （不考虑二次散射，无吸收，折射率为1） O点为坐标原点A点的位置矢量 ：单一阵点的散射振幅 ∵散射强度与振幅的平方成正比例 根据欧拉公式 . . . . . . . . . . . . . （d）三维尺寸小的小晶体. . . . . . . . . . . . 只有那些法线穿过环带的晶面才能满足衍射条件。所以，可以用环带的面积ΔS与倒易球的面积S之比表示参加衍射晶面数的百分比，即参加衍射晶粒数的百分比。 Δq：参加衍射的晶粒数 . . . . ② P称为多重因子③ 称为结构因子 . . . . . . . * 第四章 X射线衍射的强度 §4 一个小晶体对X射线的衍射 1.嵌镶结构（mosaic structure） 以右图表示 取向1o以下 大小100nm左右 每个嵌镶块内晶体是完整的，嵌镶块之间晶界造成晶体的不连续性。X射线面积大于一个嵌镶块，因此，计算衍射强度时，只要首先计算出一个晶体的反射本领，然后把各块的衍射线强度相加即可。 （虽然目前实验段验证晶体的结构并非嵌镶结构，但过去的假设且计算结构与实验相符，因此仍沿用此模型） 考虑晶体点阵中任意两个点阵O，A的相干散射，求出它们散射波的光程差和相位差。然后将它们的振幅对所有参加散射的阵点球和，求得参加散射的晶体的相干散射振幅和弦度。 散射波之间的光程差为： 相位差为： 参加衍射晶体的合成振幅为： (4-76) (4-77) : 晶体的散射振幅 和 ：单一阵点的散射振幅和强度 （4—47）式中的每一项都是一个等比级数，运用级数求和公式可得： (4-78) (4-79) (4-80) (4-81) 将（4-49）式写成三角函数形式 （4-51）式称为干涉函数，即 称为干涉函数。 下面讨论它的函数分布曲线 令 (4-82) (4-83) (4-84) 的关系为 主峰最大值为（用罗必塔尔法则） (4-85) (4-86) (4-87) (4-88) 3.一个小晶体对X射线的散射 再把问题返回到平行六面体的小晶体上 为晶胞数，晶胞总数 如果以简单点阵为例，因为只有一个原子， 所以晶胞间的相干散射和原子间的相干散射类 似。如图O，A各为晶胞的原子代表，相位差： 为晶胞坐标，为整数 为倒易点阵的流动坐标，为任意连续变数 (4-89) (4-90) (4-91) (4-92) 简单点阵：一个晶胞的相干散射振幅= 一个原子的相干散射 复杂点阵：一个晶胞的相干散射振幅应为 一个小晶体的相干散射波的振幅为： 这里 ∵ （相干散射波强度与振幅的平方成正比） (4-93) (4-94) ∴ 成为干涉函数 这里的干涉函数是在倒易点阵中表达的 ∵ 将 代入（4-53）式可得 (4-95) (4-96) (4-97) (4-98) 干涉函数的每个主峰=倒易空间中的一个选择反射区，有值范围是： 而选择反射区的中心为严格满足布拉格定律得倒易阵点，即 如图所示 选择区的大小与形状 取决于晶体的形状与尺寸。 选择区的大小与晶体尺寸成反比例： （a）三维尺寸大的完整晶体 选择反射区是一个抽象的几何点，即为倒易阵点 (4-99) (4-100) (4-102) (4-101) （b）片状的二维晶体 选择反射区为杆状，称倒易杆 （c）针状的一维晶体 选择反射区为片状，称为倒易片 (4-103) (4-104) (4-105) (4-106) 很小， 很大 反射区为球状，称为倒易体元 根据衍射花样的异常特征来研究、判断晶体的形状 (4-107) (4-108) (4-109) 一个小晶体的相干散射强度可表示为 Ω角内积分(即主峰下的面积所代表的积分强度) 为使整个选择反射区都能有机会与 反射球相交产生衍射，晶体需绕垂 直入射线且过反射面的轴转动。 倒易矢量 的角度变化范围为 G为 的参数，需要变换 (4-110) (4-111) (4-112) (4-113) (4-114) （ds（反射球在dΩ上的面积） 半径） (4-115) (4-116) (4-117) (4-118) (4-119) (4-120) ∵倒易点阵中，选择反射区最大变化范围只能是±1/2 (4-121) (4-122) (4-123) (4-124) (4-125) 如晶胞的体积为 ，晶体的体积为 ，则 称为单位体积的反射本领 小晶体对X射线的散射强度公式 (4-126) (4-127