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名词解释 (2)1、在半导体中，有( 自由电子)和( 空穴)两种载流子导电。2、在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成(P )型半导体，如掺入五价元素，就会形成( N)型半导体。3、在P型半导体中，(空穴 )为多数载流子，而在N型半导体中，( 电子)为多数载流子。4、PN结具有(单方向 )导电性，其导电的方向是从(P区 )到( N区)。5、点接触型二极管适用于(高频检波 )，而面接触型二极管适用于(低频检流 )。6、将交流电变成单方向直流电的过程，称(整流)。7、由直流负载所获得电压波形，可分为(半波 )整流电路和(全波 )整流电路。8、单相桥式整流电路，输出侧直流电压是交流电压有效值的(0.9 )倍。9、硅二极管的死区电压约为( 0.5)伏，而锗二极管的死区电压约为( 0.2)伏。10、半导体中的空穴电流是由于( 价电子)递补(空穴 )而产生的。11、在交流放大电路中，当三极管的(发射结 )正向偏置，而(集电结 )反向偏置时，三极管具有电流放大作用。12、滤波电路的主要作用是(减少脉动程度 )，使输出的直流电压波形较( 平直)。13、在简单稳压电路中，稳压环节包括(限流电阻 )和(稳压管 )。14、在单相半波整流电路中，若交流电压为10伏，输出的直流电压约为(4.5 )伏，二极管承受的最高反向电压约为(14.1 )伏。15、由NPN三极管组成的放大电路中，输出电压波形的正半周失真，则产生了(截止 )失真，它的静态工作点位置(过低或接近截止区 )。16、如果NPN三极管放大电路的输出电压波形负半周失真，产生( 饱和)失真，它的静态工作点(过高或接近饱和区 )。17、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则三个管脚分别为( C集电)极、( B基)极和(E 发射)极。18、已知某三极管放大电路的IB=10μA，IC=1mA，则该管的电流放大系数约为( 100)。19、在交流放大电路中，测得UCE值近似等于电源电压，集电极电流IC≈0，则该管处于(j截止 )状态。20、在交流放大电路中，如果测得IC≈ ，而UCE≈0，则该管处于( 饱和)状态。21、如果适当增大集电极电阻RC，则放大电路的静态工作点将( 向左)移动，电压放大倍数Au将(增大 )。22、在放大电路中，调节基极电阻RB，就会改变(基极 )电流，即可改变(静态工作点 )位置。23、在交流放大电路中，输出电压与输入电压的相位(相反 )，所以也可称单管放大电路为(反相 )器。24、晶体三极管的输入端，可以等效为(晶体管输入电阻 )，它的计算公式为( )。25、晶体三极管的输出端，可等效为(受控恒流源 )，它与基极电流的关系为( )。26、交流负反馈可以稳定放大电路的(电压放大倍数 )。27、如果需要稳定放大电路的输出电压，并且还要减少信号源的负担，在电路中应引入(串联电压 )负反馈。28、射极输出器属于(串联电压Au1 )负反馈电路，它的电压放大倍数(小于近似等于1 )。29、射极输出器的输出电压与输入电压相位(相同 )，因此它也叫做( 射极跟随)器。30、射极输出器的( 输入 )电阻高，(输出)电阻低。31、功率放大电路的主要目的是使负载(获得最大功率 )，为此应减少(损耗 )。32、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为(N型沟道 )和(P型沟道 )两种类型。33、在栅—源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为(增强 )型场效应管。34、串联型稳压电源，主要由( 采样电路)、(基准电压 )、( 比较放大)和(调整管 )四部分电路组成。35、差动放大电路的共模抑制比等于(差模放大倍数与共模放大倍数之比或Ad/AC )，其值愈大，表示 抑制共模信号 )能力愈强。36、双端输出的差动放大电路，电压放大倍数是单端输出的( 2倍)。37、运算放大器的理想条件是( )、( )、( )和( )。Auo=∞ rid=∞ ro=0 KCMRR=∞ 38、运算放大器在理想化条件下，在线性运行时的分析依据是(、两个输入端的电流为零或i-=i+≈0 )和( 两输入端电位相等或u-=u+ )。39、晶闸管的三个电极分别是( )、( )和( )。阳极A 阴极K 控制(或门)极G 40、当晶闸管的阳极电流减少到( 维持电流IH)时，晶闸管由导通变为截止。41、晶闸管的导通角与控制角的关系是( )。42、单结晶体管具有( 发射)极和二个(基 )极的半导体器件。43、单结晶体管的伏安特性有( 负阻 )特性，利用这一特性，可构成晶闸管的( 触发)电路。44、晶闸管的过电流保护，可采用( )、( )和( )三种保护方式。快速熔断器 过电流继电器 过流截止 45、晶闸管的过电压