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4.4.1杂质分凝现象 （2）扩散速率 杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同，热氧化时，将引起Si/SiO2界面杂质的再分布。扩散系统D是描述杂质扩散速率快慢的参数。 按照杂质在SiO2中扩散速率的快慢分为：快扩散杂质、慢扩散杂质。 （3）界面移动 K1慢扩散（B）； K1快扩散（H2+B）； K1慢扩散（P）； K1快扩散（Ga）； 杂质在SiO2/Si界面分布 SiO2/ Si SiO2/ Si SiO2/ Si SiO2/ Si k1 杂质在硅一侧耗竭 B在SiO2中扩散慢 B在SiO2中扩散快(H2环境） P,As在SiO2中扩散慢 Ga在SiO2中扩散快 k1 杂质在硅一侧堆积 4.4.1杂质分凝现象 4.4.2再分布对硅表面杂质浓度的影响 热氧化后硅中硼的表面浓度 磷分凝系数10 水氧氧化Cs/CB干氧氧化；磷在SiO2中的扩散速率很低，损失较小，造成表面浓度增大。 温度↑ ，磷扩散↑ ，Cs/CB↓； 硼分凝系数0.3 水氧氧化Cs/CB干氧氧化； 温度↑ ，硼扩散↑， Cs/CB ↑ ； 热氧化后硅中磷的表面浓度 计算得到的在不同温度下氧化后硅中硼的分布曲线 高温氧化对杂质浓度分布的影响 4.4.2再分布对硅表面杂质浓度的影响 一般要求：表面无斑点，裂纹，白雾，发花和针孔等问题； 检测：主要为表面观察和厚度测量。 镜检：外观颜色均匀性，有无裂纹等； 厚度：比色法