半导体物理第二章0517讲义.pptVIP

半导体器件 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 (1)??? 替位式杂质 间隙式杂质 (2)??? 施主杂质和施主能级 (3) 受主杂质和受主能级 (4)??? 浅能级杂质电离能的简单计算(类氢模型) (5) 杂质的补偿作用 (6) 深能级杂质 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 与理想情况的偏离 晶格原子是振动的 材料含杂质 晶格中存在缺陷 点缺陷（空位、间隙原子） 线缺陷（位错） 面缺陷（层错） 与理想情况偏离的影响 极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，同时也严重影响半导体器件的质量。 1个B原子/ 个Si原子 在室温下电导率提高 倍 Si单晶位错密度要求低于 与理想情况偏离的原因 理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得原本周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，并在禁带中引入了能级，允许电子在禁带中存在，从而使半导体的性质发生改变。 (1)??? 替位式杂质 间隙式杂质 来源: ?沾污(实际材料总是偏离理想情况的). ?有目的地掺入 在晶格中的 位置: ?间隙式(interstitial) – 杂质原子位于晶格原子之间的间隙位置。间隙式杂质原子一般比较小，如Si、Ge、GaAs材料中的离子锂（0.068nm） ?替位式(substitutional)--杂质原子取代晶格原子而位于格点位置 。替位式杂质原子的大小和价电子壳层结构要求与被取代的晶格原子相近。如Ⅲ、Ⅴ族元素在Si、Ge晶体中都为替位式杂质。 例：如图所示为一晶格常数为a的Si晶胞，求： （a）Si原子半径 （b）晶胞中所有Si原子占据晶胞的百分比 解：（a） （b） (2)??? 施主杂质和施主能级 (3)??? 受主杂质和受主能级 (4)?浅能级杂质电离能的简单计算 (5)杂质的补偿作用 (6) 深能级杂质 表2-1 硅, 锗晶体中Ⅴ族杂质的电离能 Si中 P(0.044eV),As(0.049eV),Sb(0.039eV) Ge中 P(0.0126eV),As(0.0127eV),Sb(0.0096eV) 表2-2 硅, 锗晶体中Ⅲ族杂质的电离能 Si中 B(0.045eV),Al(0.057eV),Ga(0.065eV), In(0.16eV) Ge中 B(0.01eV),Al(0.01eV),Ga(0.011eV), In(0.011eV) 以GaAs中的杂质为例,一般而言: ? Ⅱ族元素-倾向于占据Ga的位置,是受主 ? Ⅵ族元素-倾向于占据As的位置,是施主 ? Ⅳ族元素-占据As的位置,是受主 占据Ga的位置,是施主 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 位错 位错是半导体中的一种缺陷，它严重影响材料和器件的性能。 书上第一,第二章的自学部分 §1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能级结构 §2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 §2.3 缺陷,位错能级 * * * * * 半导体器件 * * * * *