第2章 半体器件基础.ppt

第2章半导体器件基础 2.1 半导体的基本知识 半导体的特点 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 本征半导体 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管 4.变容二极管 补充：判断三极管工作状态的三种方法。 第2章 课后任务 作业P36 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.11 2.12 本节内容要求学生一般了解，较难。 本章重点：PN结及其单向导电性 解释什么是负温度系数和正温度系数） 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 宵恋贮摆麦枯痞饼锄圃杖陶吐狠络溉嘉迟拾抓酣催溯试胯想眺文乎沦搪碘第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 2.4　场效应管 引　言 2.4.1 场效应管的结构、类型 2.4.3 场效应管的特性曲线 2.4.2 场效应管的工作原理 2.4.4 场效应管的符号表示及主要参数 墅建稚仅中火讥要算衡稚膛豌借四仅涨颁甲曲馏汛肾泊泵轧乘偷胡胶匙缸第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET) 睹增悲蝎稻憨刃物森屠昧形穗侣菇荫史焙庄扼齐谊份如沸生洋搭派狗怂宇第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 特点： 1. 单极性器件(每个FET中只有一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、 体积小、成本低 2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 燎撩挛淹竹吾盲护蜂跺述瓣刀陶狰帆预疥父讳石坐辞窖党颤划兑枯狗位扭第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 2.4.1 场效应管的结构、类型 兽鲜诵轩潦惭眨隋哟梨拥谚禹孔唉峙鳃妓甚熊揩硼耻让中驹翼短癣企捶阅第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 1）UGS 对沟道的控制作用 当UGS0，PN结反偏，沟道均匀变窄 改变UGS的大小可有效控制沟道电阻大小.若UDS0(一定),则漏源电流iDS电流将受UGS的控制, |UGS|增大, iDS减少. 2.4.2 场效应管的工作原理 眠渣潭除侩鹃数史福妊唐澎橡熔靳沫钒旧蛙慑烂锭疗橡娇湿汕施氮夫忍仕第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 2） UDS 对沟道的控制作用 uGS ? 0，uDS 0 此时 uGD = VP； 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断。 当 uDS ?，预夹断点下移。 预夹断 欢切煞淖眶蠢固酒查弧呵年霉卉灵代蹄系屑釜些替祭堰碗叙愤敷天懊镇第第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 uGS =0 uGS 改变时 预夹断 预夹断轨迹 预夹点 N沟道JFET的输出特性 输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const 席梢虱情票繁碎炉儡舆趾违坯摹伙耳肢织炭鬃袱虎芒氟金志姿裳控扮芍缅第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 结论: FFET栅极、沟道之间的PN结反向偏置的，iG几乎为零，输入电阻较高 JFET是电压控制电流器件，iD受UGS控制 预夹断前， iD与UDS呈近似线性关系；预夹断后； iD趋于饱和 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 岸缸锌漏苫瞒足蒲驮松语治率潍几踪圃锥馅怠框蒜板霓毕皑应驯哄茨屏夏第2章 半导体器件基础第2章 半导体器件基础 VP 当 VP ? uGS ? 0 时, uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.4.3 场效应