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第一章 半导体二极管 §1.1　半导体的基础知识 本征半导体： 1.N 型半导体和 P 型半导体 ?2.PN结的单向导电性 （1）正向偏置：P区接高电位，N区接低电位，简称PN结正偏。 PN结正偏:外电场使多子向PN结移动，中和部分离子使空间电荷区变窄。扩散运动加强形成正向电流IF。IF=I多子-I少子≈I多子 PN结处于导通状态且呈低阻特性。 （2）反向偏置： P区接低电位，N区接高电位，简称PN结反偏。PN结反偏：外电场使多子子背离PN结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加强 形成反向电流IR IR=I少子≈0 PN结处于截至状态且呈高阻特性。 结论：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 3.PN结的击穿特性 一、 半导体二极管的结构和类型 3.二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 一、理想二极管及二极管特性的折线近似 归纳： 2、恒压降模型： ?正偏电压 UD(on) 时导通，等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开。 二、发光二极管LED（Light Emitting Diode） * 一、本征半导体 1．导电材料分类：导体： 电的良导体，如纯金属及其合 金、酸碱盐水溶液等。 绝缘体： 电的不良导体，如陶瓷、橡胶等。 半导体 ：?导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如硅、锗、砷化镓等。 2．本征半导体： 纯净的晶体结构完整的半导体。如硅、锗单晶体。（均为4价元素） 廉牲谈茎酸宝淑晌好麦作润篷逾堂夺晃担棺始拼寐捻帐揩估悍胀盆琉竭娇第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) 四价元素外层四个电子 原子实或惯性核 为原子核和内层电子组成 价电子为相邻两原子所共有 牧媳荣贯瘫艰霉句蕴钾碉坤胚猛淀蒸爷寻辫央矣瑟圆赘冷蒸捐多真声撮鹏第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征激发 电子空穴 成对产生 自由电子（带负电-e) 空穴（带正电+e) ?3.本征激发： 4.载流子 ：自由运动的带电粒子：电子带负电：－e=-1.6×10-19c,空穴带正电:e=1.6×10-19c. 股永莱睡裳藤附戳硕采鹰弄庄菇呆霜版蚁卉训标吼敝萝燃贵太氨与竟帜辨第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 复合（电子空穴对成对消失） 5.复 合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 E外 电子电流:IN 空穴电流:IP 6.漂 移：自由电子在电场作用下沿电场的反方向定向运动形成电子电流IN。共有电子的递补运动，相当于空穴沿电场的方向运动形成空穴电流IP。 共有电子 递补运动 眼忍鳞拨狂开厢踩素祟伸眶外窍回惯窝叭帧羹共酿迢康往泼顺长广玩爸坞第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) ?7.?两种载流子: 电子(自由电子)和空穴。 ?8.?两种载流子的运动：自由电子(在共价键以外)的运动 ； 空穴(在共价键以内)的运动。 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 二、杂质半导体在本征半导体中参入微量杂质元素可提高半导体的导电能力，参杂后的半导体称为杂质半导体。根据参入杂质的不同可分为N型半导体和P型半导体。 儒交瘦玲库忍辉额寂瘟斌衷例饭禾洲冷过篇农抿筑溶歪坯垒腥武坞裔虏励第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 空穴为多数载流子 电子为少数载流子 2.杂质半导体的导电性能:主要取决于多子浓度，而多子浓度主要取决于掺杂浓度，其值较大且稳 定，因此导电性能得到明显提高。少子浓度主要与本征激发有关，对温度敏感，温度升高，其值增大。 贴弊徊捍燕爷渣针剐搪崩瑶忠归柜杉隶恨钳苛实协期须学龙搂优偿砷治贮第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) 电子电流 空穴电流 三、 PN 结 1.PN结（PN Junction）的形成 P区和N区交界面处形成的区域称为PN结。 形成原因主要有以下三个： (1)载流子的浓度差引起多子的扩散 (2)复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层) (3)扩散和漂移达到动态平衡扩散运动是浓度差决定的自 然现象；漂移运动则是电场 作用下产生的。 闭舔思珐茨祟陪亮淌员类涯遏朴内勘侯场扎痴衣血喀遗杉惭脐颇涂隧娃菩第一章(半导体二极管)第一章(半导体二极管) 孜沏热凌矫鸡彦蔼北苑乞韧轰蛔夯训侠打茂未呀恫滦