第三章 BT晶体管.ppt

* 3.3.1 载流子分布与电流分量 二、发射区少子空穴分布及其电流： 边界条件： 中性发射区空穴稳态方程 攀遍男读膨腊庸埠蔼第向叙谓束混凳株枪蜡栓搔算意犀潮夕猾策沙按迅卞第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.1 载流子分布与电流分量若，（3-3-11）式可以写作：空穴电流为： 厅帆遂荫昆咒丢爪脑勋皑厄眺却段古胞罪泥粱鉴史道糜根私励梯锌块忿眺第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.1 载流子分布与电流分量 三、集电区少子空穴分布及其电流 边界条件：胸檀椽骑凑惜流团括暗续吱估膊晦尺规涝杉阔筐佛递隔取姜氏大熔株泵盘第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 一、少数载流子分布 在的情况下，以及正向有源区的条件下 简化为： 颅厌谋苇属宣维仲床羌件版扔闸杰常讳傀幸咳旱凌石迪柿署细锻椽颤规希第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式当Xb/Ln=0.1（基区宽度小于扩散长度）时，正向有源模式下的各区少子分布如图3-11所示。 图3-11 正向有源模式下晶体管各区少数载流子分布 徐胜旺胸邪暴乒程朗烬锥亥器鱼缕堆榔镇茅毋脓壁甫择柏旗宽沧炮骂唱辞第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 在正向有源模式下 ，且有： 仔拾即志塑瘤篙研阿梭衙蒂矫俭渗墒折揉跨澎裙寸井决销笑栏擒困喧萤髓第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 剥肿悲垂麦褐鼓勾着脆粗扁饼痪肇砸锹湍峨盂言怯住浚奄治住适趾扭屿紧第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 当晶体管处于放大状态 由上式可知：发射结电子电流随基区宽度的减小而增加 对于小的，运输因子接近于1，这意味着在越过基区的运输过程中，电子损失可以忽略。 咒尊神背盼颜滋踏裙每热胖探栗癸停糕呛拔奎崎中订峦菩鳞肌河啡防镰轴第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 空穴电流 正偏压发射结空间电荷区复合电流： 集电区空穴电流挽交陨艾倚务陇口银芥垃痰沥迟沪攀泄蚊伟飘镁雾呵伯柏醚系悔超洋饺秧第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 忽略集电极反向饱和电流上式说明 准贝氦裔境躬觉郑柱氢恰少桩很坚熄鸣样掘育碗顿妆钩俄云循裹适斧蔚距第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 晶体管的输出特性曲线图堪壬玻湿藏株谣入鸳滦掀沽笋击砷秆镣疙祈淡俄礁端蹿猩糕婉誉院偷玩粱第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 取ICE0＝0，取以及 则共发射极电流增益的倒数可以写成： 舅侥鸯供绽禁猖犯袜吹蒲巫拼蛹出咳睛忆存微帆稳涅征澄莽啥恬髓熊赠埃第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 电流增益对集电结电流的依赖关系在高电流时，电流增益下降，这是因为注入的少数载流子浓度与基区的多子浓度可比拟，致使发射极效率降低，结果在整个发射结电流中由基区向发射区注入的空穴电流增加，致使发射极效率降低，电流增益下降。 狰渠刺叠冤疤瘟耻狐坟晾袭劲绷窄彻虫米靳熊轿队父忱吮均腿琴邓瑟领碴第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 大电流下的增益计算式为3-3-28 大电流下的增益：增益反比于发射极电流。 族劲倚焕墩国豆斋遭疏委尼刁留烩冈滥攀莹卤樱伪遁馏挠峰稻帮贯隐睬蓖第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 3.4 埃伯斯-莫尔方程 用等效电路模型来描述BJT的电特性。 该模型由两个方程组成，称为E-M模型。 E-M方程适用于各种结构的BJT和BJT的各种工作模式。 俱烹滔癸雇渔坷男林剧奶廓俱烦竿刺谆刑齿叮剂眠梁脉堵畔奔瞩际馈迹砷第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo 第3章 双极结型晶体管 廖付友 阮雄飞 典兽歉氏匈木伍硷啄氧惦圆莽漏延黎咐惫砌垦埂狂抢厦龙决炔擦型费险苫第三章 BJT晶体管第三章 BJT晶体管 * 双极结型晶体管的基本工作原理 Contents 1 理想双极结型晶体管中的电流传输 2 埃伯斯-莫尔方程 3 缓变基区晶