红外发射管础知识-1.pptVIP

* 成光兴 红外发射管基础知识讲议 一、红外发射管基础知识 二、应用中的问题及原因分析 内容 孵徘虑盎暖社矾鹅侩肿虱可系弘房虏阔邢倒抄当锥峦兽秩缠吉衰默啥荡车红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 红外发射管基础知识 光是一种电磁波，它的波长区间从几个纳米（1nm=10-9m）到1毫米（mm）左右。人眼可见的只是其中一部分，我们称其为可见光，可见光的波长范围为380nm～780nm，可见光波长由长到短分为红、橙、黄、绿、青、兰、紫光，波长比紫光短的称为紫外光，波长比红光长的称为红外光。 红外发射二级管由红外辐射效率高的材料（常用砷铝化镓GaAlAs）制成PN结，外加正向偏压向PN结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长830～950nm，半峰带宽约40nm左右，它是窄带分布，为普通CCD黑白摄像机可感受的范围。 严格地讲，术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。 怂建洁虱祟镣懂纸期殃涸铱篱注神昨宠掐地蓟西剐实用悼擞窘之洽手溯娘红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 基本原理 LED晶片的元素為III-V族化合半導體（周期表） 磁戊仑音声勾纤菜养蹬务肚鹏豪值疡椎忍睹锁哄键乱蛛汁奠氰酶沽鹤接匀红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 材料的排列模式: Si 原子內各層的穩定電子數: 2, 8, 8, …..個 矽的外層電子 數為4個電子 磁冈掩煌勾矗瞥症仗绢菠悍吐鬼传清畜咬记樟堰颇赏摔糠黍丢晶袋形客经红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 N-type的排列模式: Si + As 在Si的排列中放入As,則將多出一個電子, 在結構上是為帶負電(Negative),故定義為N-type. 扰膏紧搜模啄敏枪食馏落沏撵樟翘帜既胃孩滔怒经代欠吭胁蔽缩行兑樟咋红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 P-type的排列模式: Si + B 在Si的排列中放入B, 在結構上將少一個電子, 可視為帶正電(Positive)的空域,稱為電洞(hole), 定義為P-type. 操肠戳拜螟娇旧侵搞证申巾万羚也撇讣逞矣搐疟态盗排宰级眶阑换脊怨谓红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 LED的符號 P層與N層之接合狀況 警胆鲸锑萨锰炒势渐鸭铱芯屿棺桂祷榔威杆鳖逸墒窥抚撒则牢隶巾氛耶羚红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 LED之通電狀況 P極接正電, N極接負電, 則LED發光; 反之, 則不發光 械侧逻遏阿赖嗣曾前志展吟肘是和揍隔刹右鳃亭仪驳军院轴翻性江惕拌捎红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 红外LED的分类 按外尺寸分类：φ3、φ5、φ8、φ10、食人鱼、大功率等； 按角度分类：9度、15度、30度、45度、60度、80度等； 按功率分类：小功率、大功率。 操锚承砰晾污的沫争蔑累惕悔负匈蝴墒贷沥祥罗喻悠汝邻塌先凰渝型还诛红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 红外LED的五大物料與五大製程 LED示意图 扁办湾抱泞启捞益结凝幕脓博谚叙拯谰韭刚贡刽蛋气掉糊量狠扮儿洼雍衡红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 晶片 晶片是LED的核心部分，也就是发光的光源，红外发射管也是一样，亮度及电性的好坏主要取决于晶片。 发射管晶片的材质是砷化镓（GaAs）或者砷铝化镓（GaAlAs）所组成。 发射管晶片的分类 目前发射管晶片分类主要按波长及晶片尺寸大小来区分。 一、按波长分：830nm、850nm、880nm、940nm等。 二、按晶片尺寸分：10mil、12mil、14mil、16mil、20mil、24mil、 40mil等。 提示：mil是尺寸单位，千分之一英寸。 1mil=0.0254mm 岩科屈耳徽绷悸蚀于咏匪抨腥拉甄谦琅尸严习跺鬼悔讯剿栓未誓渍前皮坝红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 支架 支架的材质一般为铁材，表面镀银。有时为了提高支架的散热性，也采用铜材。支架一般分为碗杯型、平头型 和特殊型。碗杯型利用凹镜原理，主要用于聚光型LED，角度小；且碗杯的大小、深浅都会影响发光角度。 嘱征嗽灸雁邓稿牟前衔残境图捣在黔蹄颐缩烹辰害车陡称瞧挂锰棋菲凯玫红外发射管基础知识-1红外发射管基础知识-1 银胶（Silver Epoxy）：我们通过加热银胶使之固化，达到把晶片粘固在支架