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微电子器件可靠性 3 失效物理 3 失效物理 本次课内容 3.1 氧化层中的电荷 3.2 热载流子效应 3.3 栅氧击穿 3.4 电迁移 3.5 与铝有关的界面效应 3.6 热电效应 补充材料： 实例： Rcl 失效光点 氧化层漏电分析报告 热击穿 电击穿 PN结击穿特性 雪崩击穿 齐纳击穿 二次击穿等（图） 本次课要点 1、? 氧化层中有几种电荷？它们的分布和特性如何？对可靠性有何影响？如何降低它们的影响？ 2、? 什么热载流子效应？什么是电荷泵技术？热载流子的影响与改进？ 3、栅氧击穿有几种情况？它们的机理是什么？有何改进措施？ 4、什么是电迁移？影响电迁移的因素有哪些？抗电迁移措施？铝膜再构与应力迁移与电迁移有何异同？ 5、铝与硅，与二氧化硅有哪些反应？防止措施有哪些？金与铝有何反应？金铝键合有何缺点？ 6、什么是热阻？什么是二次击穿，如何改进？ Si-SiO2界面特性 SiO2内和Si-SiO2界面处存在四种界面电荷 ①可动离子电荷Qm,正电荷，如Na+、K+；1012-1015cm-2 ②氧化层固定电荷Qf，正电荷，如Si+、荷正电的氧空位；1011cm-2 ③界面陷阱电荷Qit，正或负电荷，快态，Si悬挂键；1011-1012cm-2 ④氧化层陷阱电荷Qot,正或负电荷。 界面电荷危害：在Si表面感应极性相反电荷，影响MOS器件理想特性，Y↓ R↓ 1 可动离子电荷Qm 主要来源：大量存在环境中,人为。 Na+分布：遍布整个SiO2层。 Na+特性： ①D SiO2很大(D0=5.0cm2/s,P: D0=1.0x10-8cm2/s，B: D0=1.0x10-6cm2/s)； ②在电场作用下，显著漂移(μ∝D) 可动离子电荷Qm Na+对器件性能的影响： ①引起MOS管VT的漂移：VT = -(Qf+Qm+Qot)/C0+ φms, C0-SiO2层电容，φms- 金-半接触电位差； ②引起MOS管栅极的局部低击穿：Na+在Si-SiO2界面分布不均匀引起局部电场加强； ③降低PN结击穿电压：Na+ 在Si-SiO2界面堆积使P沟道表面反型，形成沟道漏电； Na+数目测量 —偏温测试(B-T) ①测不同温度下 的高频C-V曲线 ②Na+数目 Nm=ΔVFB·qCOX(cm-2) 降低Na+ 的措施 ①含氯的氧化工艺； 干氧中添加含氯气态物(Cl2,HCl,C2HCl3)，改善SiO2质量，完美钝化效果。 减少Na+沾污，正电荷效应减弱，丧失电活性和不稳定性。 ②氧化层表面覆盖PSG或BSG； ③超纯净化学试剂，如MOS极； 2 界面陷阱电荷(界面态)Qit 来源：Si-SiO2界面缺陷、金属杂质及辐射引起的缺陷 分布：Si-SiO2界面处，能量在Si的禁带中； 界面态密度Dit：单位能量的界面陷阱密度(eVcm-2) 用禁带中心能级Dit表征陷阱浓度 (图2.30) 界面态Qit特性： ①高于Ei：具有受主特性，界面处未被消除的悬挂键； ②低于Ei：具有施主特性，氧化时引入杂质，氧化中晶体杂质外扩散； 界面陷阱电荷(界面态)Qit Qit的三种物理模型 ① Si-SiO2界面处，存在少量Si悬挂键，得失电子，形成界面态；Si-SiO2过渡区(SiOx层),未完全氧化的三价Si也可形成界面态。 ② SiO2中的电离杂质(荷电中心)在Si-SiO2界面附近俘获电子或空穴，形成界面态。 ③ Si-SiO2界面附近的化学杂质，如Cu、Fe等 Qit特性: 表面复合中心,密度决定表面产生-复合电流,影响电流增益;产生/复合率涨落调制表面少子产生/复合速率,噪声电流(1/f噪声)↑, Gm↓。 Qit对器件性能的影响 ①VT漂移 ΔVT=- Qit ΦsurfCox ②MOS电容C-V曲线畸变 ③漏电流↑ ④沟道电导率↓ ⑤1/f噪声↑,电流增益↓ Qit控制：工艺相关 ①晶向选择：(111)(110)(100)； ②氧化温度：T ↑ Qit ↓ ③退火: 低温、H2气氛；高温、惰性气体。 3氧化层固定电荷Qf Qf产生机理：氧化停止时，Si-SiO2附近存在大量过剩Si离子。 Qf特性：通常带正电；极性不随表面势和时间变化；电荷密度不随表面势变化。 Qf能级：在Si禁带外，但在SiO2 禁带内。 Qf对器件的影响： ①nMOS阈值降低，pMOS阈值增加； ②散射作用,沟道载流子μ↓,影响Gm。 4氧化层陷阱电荷Qot Qot来源：①悬挂键②界面陷阱③氧悬挂键④ 弱Si-Si键⑤ 扭曲Si-O键⑥ Si-H键⑦Si-OH键。 Qot产生方式： ①电离辐射；②热电子注入。 Qot机理：各种射线及高能,低能电子辐射,Si-O-Si键断裂，产生电子-空穴对；在电场(正偏)作用下，