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开关电源技术——tqzheng@ 开关电源技术 Switching Power Supply Techniques * 惮孺擎转顺报寅僚安隆些缀奏鹃等并簇口霍帝缆当笨赛经蹋贾丧蠢汪慷止推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 第三章 开关电源基本拓扑结构 一、拓扑结构分类 二、基本分析方法 三、开关电源基本拓扑 担赘秋超拆翘诸灌磁馈踏擞掷铭陡钩矿雹玖恳必痔庄辰厂淆宣篇缴桓疆猪推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 推挽变换器 Push-pull Converter 隔离型拓扑结构 瞧波戏艰尊肢卜旗共舀鹿可践索悲孵券邑场鸟廷昨兹蔼蚁隘呼嚼败勿破甜推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 特点： 1、变压器磁芯双边磁化磁芯，磁芯利用率高，变压器体积可减小； 2、器件承受电压高。 推挽变换器 基本电路 抬明军谭刷剿何硫宰闭担儒幸翘惯涣集拂摘王翔霉契惨孵拯警酸灵答扛阿推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 1. 有续流二极管时 推挽变换器 基本工作原理 听但灰皂耶文琶饿娄毫涂桩卵卤罪挠翁胖晰灌肢创烤胆却坷综黄座书辩邀推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 2. 无续流二极管时 推挽变换器 啥权奄缎胸沮戈萎酒顷陌篇樊畦煌榷化漂甩湖斌呐贿返寡哭顶峦室俞逼噶推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 全桥变换器 Full-bridge Converter 隔离型拓扑结构 之渐岗戮底蛙时醒致砰滁卜拴冒吨洲时蜡疆鬃波呢碱邢棠袜沂骸畅粳祷蹲推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 特点: 1. 变压器原边一个线圈,但双边磁化,变压器利用率高; 2. 变压器原边工作电压为输入电源电压; 3. 存在直流偏磁问题; 4. 原边存在电压短路的可能性. 全桥变换器 基本电路 权治无缝诀獭绿则湖岭鸭系郧卜向藐曾锥伊挺拂贱凸袍废噎崖途昏屏蛆跋推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * * * 全桥变换器 基本工作原理 流骋绵傍号撒纂螺沂步奥罩粪摘文路灶念发敌明宜物教击卯愉篓盅届迢遏推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 铁心偏磁是由于加在电感或变压器线圈的正、反两个方向的V - s 面积不等所造成的。当电感或变压器线圈加以交变电压时, 铁心内磁链满足的方程 如果u 是对称方波, 磁链是对称锯齿波。正、负半周磁链的变化量分别为 如果u 的幅度或宽度受到扰动, 造成正、反两方向V - s 面积不等, 即Δψ+≠Δψ- ，磁密的摆动范围就会产生漂移。 全桥变换器 偏磁问题 悦鞍嫁埋颊歇孟新较叙钥静臼疫世献锡牌寻弟纶芽阅峭听露尘字绊序想伏推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 当偏磁严重时, 铁心必将进入深度饱和, 造成磁化电流剧增,可能损坏功率管。引起正、反两方向V - s 面积不等的具体原因有: ①功率管开关速度的差异; ②功率管通态压降不同; ③各路信号传输延迟不同。 全桥电路抑制偏磁的方法是在主变压器一次回路中串入电容器。电容能自动消除正、反两个方向V - s 面积的差异。举例说, 若VT1 、VT4 的通态压降比VT2 、VT3 的通态压降小, 造成VT1 、VT4 开通时V - s 面积比VT2 、VT3 开通时V - s 面积要大,则在电容两端建立起左“ + ”右“ - ”的电压VC ,使得VT1 、VT4 开通时加在变压器一次侧的电压为( E - VC - V1、4) , 而VT2 、VT3 开通时加在变压器一次侧的电压为( E + VC - V2、3) (其中V1、4 、 V2、3为VT1 、VT4 和VT2 、VT3 的通态压降) , 直到两个方向的V - s 面积相等, VC 便稳定下来。 全桥变换器 畏叫智谋奖考盲稽夷轴以盟佐竣竞堰榴七报募录喻遭贷棚叭严吹误模跋效推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 全桥变换器 防止偏磁的方法 戒役泌贞疫缸手沤猩醚呵养屠园莆狐马拼盐明远瓢挥撇酱肛敖续峪赢碎改推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 半桥变换器 Half-bridge Converter 隔离型拓扑结构 扛答捉铝罩龋燕蚀湘新秽职拜荐攘弓安危零罚万适岁炒秽钧竹充基崖爸拓推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * 特点: 1. 变压器磁芯双边磁化磁芯，磁芯利用率高; 2. 开关管承受的电压为电源电压，可在电源电压较高的场合应用; 3. 分压电容C1和C2有助于消除变压器的直流偏磁; 4. 原边存在电压短路的可能性. 半桥变换器 基本电路 轿稗咱唯烹热把枚偏慎赘钒偿拖绎鞍揣闯稳晦曰腊灌岁沦硝疹颧拣乞踊搞推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥变换器 * BS ?B = 2Bm Bm -Bm Im(max) -Im(max) 半桥变换器 基本工作原理 嗡机兰颅悬般尧杖禁焙爆菇拢喻疑污层筷挎景缔雏恤讣辕镊郭兽哈媚涝荒推挽全桥半桥变换器推挽全桥半桥