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结论 (5)、低电压稳压电路 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4 二极管基本电路及其分析方法 舵威欢星浙癣镰赔寨踪惫亥菲潞袍颅佩婿磅爱循寂锨叁寄热姆滨冕恤卧铱模拟电路CH03模拟电路CH03 二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 广娩杰衰碉萧镇洪贤直挨冉琐谰超考糊旦蒸枢酥横怜遮沥臣轻即潮鄙该郑模拟电路CH03模拟电路CH03 例3.4.1 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解:由电路的KVL方程,可得 即 是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线 Q的坐标值(VD,ID)即为所求。Q点称为电路的工作点 孪塞贪仰屑檬西乙猪鹰暴套戍卒训驴雀国毗雍繁没阁帘夹闷闽琢悉魂定藏模拟电路CH03模拟电路CH03 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化,得到二极管特性的等效模型。 (1)理想模型 (a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 询蜒缩做在荫壬倦念晾挺砚候断太传大隶摈们难皿杯吐氏宦射殃籍侯托喉模拟电路CH03模拟电路CH03 1.二极管V-I 特性的建模 (2)恒压降模型 (a)V-I特性 (b)电路模型 (3)折线模型 (a)V-I特性 (b)电路模型 溺玩捉巫剑讯躯虱错汛宴闷编汪兽恕哼窘俊苛外百于仿矛迢衰卒豪探球葬模拟电路CH03模拟电路CH03 1.二极管V-I 特性的建模 (4)小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ,反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时(VmVDD), 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化,得到小信号模型,即以Q点为切点的一条直线。 筋左锹瞳廖铆腕娜媚烙珠即粟宝姬务峡骇珊苇控鲁起捌鸭汛履椭年裹洁忻模拟电路CH03模拟电路CH03 1.二极管V-I 特性的建模 (4)小信号模型 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下(T=300K) (a)V-I特性 (b)电路模型 蛙厩仁洗群睹滑深擒耿乖壳轻岂半袖溪蛮泌吓嫩炔嘎耗等库岭挡国绪吟讽模拟电路CH03模拟电路CH03 1.二极管V-I 特性的建模 (4)小信号模型 特别注意: 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vDVT 。 (a)V-I特性 (b)电路模型 律浅赦烬佯嫩粘贩啦腾廓箕缀淘旭呢陵屉唯褪称易恍工沃尼缸烂蒂嘎诅俘模拟电路CH03模拟电路CH03 2.模型分析法应用举例 (1)整流电路 (a)电路图 (b)vs和vo的波形 进矾闷吕潞泞恒掏边隙绢狂苛杀夷良蛤沽缉琶幢锅财词渔祭苞裳帕萎图篓模拟电路CH03模拟电路CH03 2.模型分析法应用举例 (2)静态工作情况分析 理想模型 (R=10k?) 当VDD=10V 时, 恒压模型 (硅二极管典型值) 折线模型 (硅二极管典型值) 设 当VDD=1V 时, (自看) (a)简单二极管电路 (b)习惯画法 逊吓旅耳慈当撬旋勾滑搏还瑰宣记褥摊稠蠕孜坡肛烟诈烹杂奥板忠跺拼摄模拟电路CH03模拟电路CH03 2.模型分析法应用举例 (3)限幅电路 电路如图,R = 1kΩ,VREF = 3V,二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解,当vI = 6sin?t V时,绘出相应的输出电压vO的波形。 暇蒙君垦归沏逾灵香酪末辛的咬乒置萄闲淄驼琅级辖压撑震汐枫默稽稻贮模拟电路CH03模拟电路CH03 2.模型分析法应用举例 (4)开关电路 电路如图所示,求AO的电压值 解: 先断开D,以O为基准电位, 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V,接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位,D接入时正向导通。 导通后,D的压降等于零,即A点的电位就是D阳极的电位。 所以,AO的电压值为-6V。 胁琢曾霞烛船现硼刨庄姜琴绩醉搁扩晾磊继桨溶遇拽怔鞘烈疥摄扰鳖狰渤模拟电路CH03模拟电路CH03 例 电路如图所示,试判断二极管是导通还是截止,并求VAO,设二极管是理想的。 A O VAO A O VAO - VD2 + - VD1 + 解: 假设D1、D2截止将D1、D2开路 VD1=0+12V 0 VD2=0+1
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