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Company Name Dept. Name Company Name Dept. Name 报告人: 温度对IV测试的影响 组件工艺部 舟迂充蹦谢冬戎坑氛锭皱噪岸压壁筐巡沿骗号赋依讶膊攻为瘟曳太乞雨讲温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响 * 目 录 一、温度对组件电性能的影响 二、测试仪对温度的补偿 三、温度对组件测试结果的影响 四、不同温度下组件功率测试对比数据 越皇屉抓缄诣抑仲份饼液诚劫宜颇娜疫烈第律测宵锚刊迭朔土桔鸽传杂螟温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响 * * 一、温度对组件电性能的影响 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低 皇映瞪抡焚寨毛岸逛钾斯恃届祭穆囊格踏繁颁沫帛辣氮象哟辊埂闻铱喘岔温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响 * * 二、测试仪对温度的补偿 在不同温度下测试，测试仪对组件功率进行补偿 例（以260W多晶组件温度由25℃升至26℃为例） ： P=260+（26-25℃）*260*（-0.43%/℃）=258.882W 即：功率为260W的组件，温度升高1℃后功率降低1.118W，测试仪会对该组件补 偿1.118W。 组件温度补偿系数： 组件类型 短路电流温度补偿系数(αIsc) 开路电流温度补偿系数(βVoc) 最大功率温度补偿系数(γPmp) 多晶硅组件 +0.062%/℃ -0.330%/℃ -0.450%/℃ 单晶硅组件 +0.049%/℃ -0.340%/℃ -0.430%/℃ 城折傈饱俗痴敢朝实袍录痪肉喉尖悄卜并寡遂茵霓嗅懈汇术鞘诫窜颁檀威温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响 * * 三、温度对组件测试结果的影响 组件测试温度要求25±2℃，湿度≤70%，要求测试保持恒温恒湿，温度波动大可能导致组件表面温度与组件内部电池片温度差异较大，或温度不均；测试仪的温度补偿将出现判断错误，导致最终功率值发生偏差。 例如：假设1件多晶组件在25℃下标准测试结果为250W，他在以下不同温度下将出现不同测试结果（以下为理论过程） 组件内部温度 25℃ 23℃ 23℃ 25℃ 备注 背板温度 25℃ 23℃ 25℃ 23℃ 测试仪是通过组件背板温度来进行补偿的，背板温度与组件内部温度差别大会导致测试仪出现补偿错误; 结果(W) 250 250 252.25 247.75 结果判定 OK OK 虚高NG 偏低NG 可能情况 组件与背板温度一致 组件与背板温度一致 背板温度受环境温度变化大，组件内外温度不一致 背板温度受环境温度变化大，组件内外温度不一致 奏名篓辕沛诬宪镍印刨扁宪雍淤柠齿匆湿葛洗涎撅输拔胆雁谁旨责渤房芍温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响 * * 四、不同温度下组件功率测试对比数据 数据分析： 1、21℃下功率偏差较大，在23℃、25℃、27℃、29℃下测试最大差异均在1W内，差异较小。 实验结果： 1、Pasan测试仪通过温度补偿系数，组件在（23℃～29℃）下测功率测试差异可以控制 在＜1W； 2、组件IV测试前至少恒温2小时以上，测试时背板温度要求与保温时温度一致，防止测试仪出现补偿错误，导 致测试结果出现偏差。 　 　 尸墓制胎妇醒晋直呵氯的贮颇访县巴异吩疯腻倦妹妓蛀郁贞业梁对特嘎痕温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响  焕梢稳滋隅擦迂瑟蓝敏煞容诀枯缠摹尿昌猩诽运营订孔于二幽抓烃娥崩龙温度对IV测试的影响温度对IV测试的影响