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第三章 光电检测器件 3.1光电器件的类型与特点 3.2光电器件的基本特性参数 3.3半导体光电器件 光电导器件—光敏电阻 光伏器件 光电池 光电二极管/三极管 3.4真空光电器件 光电管 光电倍增管 3.5热电检测器件 热敏电阻 热电偶和热电堆 热释电探测器件 3.1 光电器件的类型与特点 光电效应：光照射到物体表面上使物体的电学特性发生变化。 光电子发射（外光电效应）：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少。 光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时，会在PN结或金属—半导体接触面的两侧产生光生电动势。 （一）光电检测器件的类型 光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件。 光电检测器件分为两大类: 光子(光电子)检测器件 热电检测器件 光电检测器件 （二）光电检测器件的特点 3.2 器件的基本特性参数 响应特性 噪声特性 量子效率 线性度 工作温度 一、响应特性 １．响应度（或称灵敏度）：是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。 描述的是光电检测器件的光电转换效能。 响应度是随入射光波长变化而变化的。 响应度分电压响应度和电流响应度。 电压响应度光电检测器件的输出电压与入射光功率之比。 电流响应度光电检测器件的输出电流与入射光功率之比。 ２．光谱响应度：检测器在波长为λ的单色光照射下，输出的电压或电流与入射的单色光功率之比。 它的值越大意味着检测器越灵敏。 ３．积分响应度：检测器对各种波长的光连续辐射量的反应程度。 ４．响应时间：响应时间τ是描述光电检测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 上升时间：入射光照射到光电检测器后，光电检测器的输出从10%上升到稳定值的90%所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电检测器的输出从90%下降到10%处所需要的时间。 二、噪声特性 噪声就是指你不期望接收到的信号，是相对于你所期望的接收信号而言的，即无用的电信号。 白噪声是指功率谱密度在整个频域内均匀分布的噪声。 即所有频率具有相同能量的随机噪声称为白噪声。与之相对的是有色噪声，是指功率谱密度在整个频域内不均匀的噪声。 噪声特性 在一定波长的光照下光电探测器输出的电信号并不是平直的，而是在平均值上下随机地起伏，它实质上就是物理量围绕其平均值的涨落现象。 噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。 由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号（特别是微弱信号）的正确探测。 一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。 所以在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。 光电探测器常见的噪声 热噪声 散粒噪声 产生-复合噪声 1/f噪声 1、热噪声 或称约翰逊噪声，即载流子无规则的热运动造成的噪声。 导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机运动(相当于微电脉冲)，尽管其平均值为零，但瞬时电流扰动在导体两端会产生一个均方根电压，称为热噪声电压。 热噪声存在于任何电阻中，热噪声与温度成正比，与频率无关。 2、散粒噪声 散粒噪声：入射到光电探测器表面的光子是随机的，光电子从光电阴极表面逸出是随机的，PN结中通过结区的载流子数也是随机的。 散粒噪声也是白噪声，与频率无关。 散粒噪声是光电探测器的固有特性，对大多数光电探测器的研究表明：散粒噪声具有支配地位。 例如光伏器件的PN结势垒是产生散粒噪声的主要原因。 3、产生-复合噪声 半导体受光照，载流子不断产生-复合。 在平衡状态时，在载流子产生和复合的平均数是一定的。 但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的（变化）。 载流子浓度的起伏（变化）引起半导体电导率的起伏（变化）。 4、1/f噪声（频率反比噪声） 或称闪烁噪声或低频噪声。 噪声的功率近似与频率成反比 多数器件的1/f噪声在200~300Hz以上已衰减到可忽略不计。 ６、噪声等效功率(NEP) 定义：信号功率与噪声功率比为1（SNR=1）时，入射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。 这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流） 一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。 NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。 噪声等效功率是一个可测量的量。 设入射辐射的功率为P，测得的输出电压为U0 然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为UN 则按比例计算，要使U0＝UN，得辐射功率为 ７、探测率与归一化探测率 探测率D定义为噪声等效功率的倒数 经过分析，发现NEP与检测元件的面积Ad和放大器带宽Δf 乘积的平方根成正比。