半导体材料的导性.pptVIP

本章内容 载流子漂移与扩散 产生与复合过程 连续性方程式 热电子发射、隧穿及强电场效应 首先考虑单位时间及单位面积中穿过x=0的平面的电子数目。由于处在非绝对零度，电子会做随机的热运动，设其中热运动速度为vth,平均自由程为l (l=vth·τc)。电子在x=-l，即在左边距离中心一个平均自由程的位置，其向左或右移动的几率相等，并且在一个平均自由时间内，有一半的电子将会移动穿过x=0平面，其单位面积电子流平均速率F1为 同样地，电子在x=l从右边穿过x=0平面的单位面积电子流平均速率F2为 载流子扩散 电流 电子 电子浓度n(x) 距离x - l 0 l 取泰勒级数展开式中的前两项，并在x=±l处的浓度作近似，可获得 因此从左至右，载流子流的净速率为 其中Dn=vthl称为扩散系数(diffusion coefficient 或diffusivity)，因为每一个电子带电-q，因此载流子流动遂产生一扩散电流 同理，对空穴存在同样关系 载流子扩散 例4：假设T=300K，一个n型半导体中，电子浓度在0.1cm的距离中从1×1018cm-3至7×1017cm-3作线性变化，计算扩散电流密度。假设电子扩散系数Dn=22.5cm2/s。 解： 根据相关公式，得到扩散电流密度为 载流子扩散