半导体薄膜技术与物理第四章..pptVIP

第四章 分子束外延 这里，ds为台阶间隔。台阶处的原子流对台阶运动有贡献，可表示为：因此，台阶运动速度可表示为：其中，NOS是生长平面上硅原子浓度。 上述讨论仅对特定的台阶空间的情况成立，在此空间里，整个台阶区域的原子流对台阶运动有贡献（ds~?s，?s中平均扩散距离）。对一般情况，Burton等人（1951）给出平行台阶的台阶极限速率： 解扩散方程时，再次假设台阶运动可以忽略。这种近似通常在原子运动的平均距离大于台阶运动的距离时是正确的， 即：s?台阶ts 这里ts表示时间，它可按过饱和比的形式改写成：其中，Wsk是扭折的形成能（一个扭折原子运动出去的激活能）。 这里有几个概念：ds：台阶间隔，V台阶：台阶运动速度，s：平均扩散距离，Wsk：扭折的形成能，Nos：生长平面上硅原子浓度。 如果表面有碳氢化合物玷污，便成为台阶的钉扎，阻止台阶传输，影响外延质量。 高度较低的表面台阶，很少有台阶集聚和钉扎，有利于低缺陷密度的外延层生长。 位错不是台阶源。衬底晶向非有意偏离，会形成许多台阶。 RHEED信号周期性振荡，可推测外延生长遵循层状生长机制。 （1）MBE的生长速率由硅原子到达的比率及供给维持晶体生长的吸附原子具有足够表面迁移率所决定。条件不满足，将产生缺陷，甚至无定形。 （2）台阶可沿一择优方向传播，其原因是，具有较高扭折密度的台阶往往传播速度也较高。 4.6.2 生长温度