第2章材料合成与制备的基本途径方案.ppt

*/* 化学气相沉积 化学气相沉积(CVD)是一种在实际应用中有重要作用的薄膜制备方法。它提供了一种在相对低的温度下，在较广的范围内准确控制薄膜的化学成分和结构的方法。 本质上CVD 是一种材料的合成过程，气相原子或分子被输运到衬底表面附近，在衬底表面发生化学反应，生成与原料化学成分截然不同的薄膜。 */* CVD技术可按照沉积温度、反应器内的压力、反应器壁的温度和淀积反应的激活方式进行分类。 (1)按沉积温度，可分为低温(200-500℃)、中温(500-1000℃)和高温(1000-1300℃) CVD； (2)按反应器内的压力，可分为常压CVD和低压CVD； (3)按反应器壁的温度．可分为热壁方式和冷壁方式CVD； (4)按反应激活方式，可分为热激活和等离子体激活CVD等。 化学气相沉积 */* 化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的基本原理是建立在化学反应的基础上，习 惯上把反应物是气体而生成物之一是固体的反应称为CVD反 应。通常认为有以下几种类型的 CVD反应(以下各武中的( s)表示固相，(g)表示气相)。 热分解反应 AB(g) A(s)+B(g) 例 SiH4 Si+2H2 还原或置换反应 AB(g)+C(g) A(s)+BC(g)C为H2或金属 例 SiCl4