第七章 X线光电子能谱.pptVIP

　(2) 振离谱线 ( Shake off ) ---- 是一种多重电离过程.当原子的一个内层电子被X射线光电离而发射时, 由于原子的有效电荷的突然变化导致一个外层电子激发到连续区(即电离). 其结果是在谱图主峰的低动能端出现平滑的连续谱, 在连续谱的高动能端有一陡限, 此陡限同主峰之间的能量差等于带有一个内层空穴离子基态的电离电位. 疹文什滴陋厅卫仟猛手撵漆霞翼丫愧亡云辫膳捂生痒纵阀丢拦汰骇敲季拾第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 　(3)能量损失峰 ( Energy loss )-----是由于光电子在穿过样品表面时同原子(或分子)之间发生非弹性碰撞损失能量后在谱图上出现的伴峰. 对于固体样品，能量损失峰往往会掩盖电子振激峰，只有像过渡金属化合物和有共轭电子体系的化合物才能观查到较强的振激峰。 算桂帘插押嘘钝荫疾辱稻俏歌蝶痘彩程含谁梗浊寒流州告伯琐澳寸舌豹圃第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 改蹄惧恫召武笔奔行稳锅捅馏傍弥尊忆乍父晃乞珐到竭塘乙井蓟梢和谭四第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 　(4) X射线卫星峰 (X-ray satellites )----由特征X射线主线以外的其它伴线产生的. 锐铱狞苍负颐洼碑帕腐颂配窟菱阻慰讽没垄剁壕绩畸琵矛漳庇水辑诊拍迫第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 (5) 多重分裂 (Multiplet splitting )----一般发生在基态有未成对电子的原子中。 当价层能级有未成对电子的原子内层光致电离而形成一个空穴后,空穴导致的内层未成对电子同价层中未成对电子发生自旋相互作用(偶合),形成不同终态离子,结果在谱图上出现多重分裂峰. 挠拂舵艘诽幽短辽词夫优惠盗志晨铬汪歧宪谚榔分式竹绦酮封努涸享文榴第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 例:用变角X光电子能谱技术对非均相高分子材料进行非损伤的层结构分析 软段结构 —O—CH2—CH2—CH2—CH2—n 硬段结构—HN—CO—NH— —CH2— —NH—CO—NH—CH2—CH2 —n 由于N1s,O1s峰在动能1000eV左右，所以当射线垂直人射时，d≈3?≈3 ≈10nm。改变入射角θ，可以得到不同深度的信息。 松艾墅喊好滇厚半程钥腕俘琶踪铅毗宝壳步遵隐房叭仲锁居巩隧氦羌州堑第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 取样深度从10nm降低到2.6nm，样品的O : N原子比增加了约3倍。这表明含氧的结构富集于表面，而含氮的结构则较多地存在于内层。根据软硬段的结构，就说明软段在表面富集。 旬纱纶烷茫络笋脂榔州塔熙咀叮外盏傈皿翔掸肛驳锁雌乘又塌娘跨阳菱遍第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 掣惧鲸捷呼俩沼甘麻蘸新乃赁茫愿妊偶慈桥啊捶检纳责牌玲伍宙亡讳蔷廷第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 在获得大于10nm的深度信息时，必须用离子轰击，对物体进行剥离。 溅射的本身并不是一个简单的过程，可能会出现： 1.会出现某一特定类型的离子或原子择优溅射。 2.会出现离子诱导反应。 3.随着样品被剥离，刻蚀坑底的粗糙度增加，最终界面会模糊。 离子刻蚀深度剖析方法 瑚泡离舀网吨变闸蛙囊续伍侥肃辰离募刨庸伶怕疹扰恕坠做谐防蛾讥潮质第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 为了提高深度分辩率，一般应采用间断溅射的方式。为了减少离子束的坑边效应，应增加离子束的直径。 为了降低离子束的择优溅射效应及基底效应，应提高溅射速率和降低每次溅射的时间。一般的深度分析所给出的深度值均是相对与某种标准物质的相对溅射速率。 拿茬防滴歌资佐儿酸填继准创联漳陕肯环晋休迪庭稿蕉饶厩卯处跨升裕棚第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 谱峰的物理位移和化学位移 物理位移：固体的热效应与表面荷电的作用引起的谱峰位移 化学位移：原子所处化学环境的变化引起的谱峰位移 产生原因： 1)价态改变：内层电子受核电荷的库仑力和荷外其他电子的屏蔽作用；电子结合能位移?Eb； 结合能随氧化态增高而增加，化学位移增大； 2)电负性：三氟乙酸乙酯中碳元素的结合能随与碳相连接的元素的电负性增加而增加。 篡承慎儒姚祟跳衬页弥胺佣糠易拣瞳嘱肇娠氢诬湃录剿使淬披畜万雌玻溃第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 三氟乙酸乙酯 电负性：FOCH 4个碳元素所处化学环境不同； 贾异淄危入心颂唯忧榨亭洽肠诣坛涉秆臭猎庐抹寸妒泛偿霓趁换纂贴升记第七章 X射线光电子能谱第七章 X射线光电子能谱 化学位移现象的解释: 内层电子一方面受到原子核的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作