ch3 静态电磁场及其边值问题的解.pptVIP

磁矢位的边界条件 磁矢位函数满足Poisson方程 基于磁矢位求解分析静态磁场问题的方法 3.4 静态场的边值问题 讨论内容 3.4.1 边值问题的类型 3.4.2 惟一性定理 边值问题：在给定的边界条件下，求解位函数的泊松方程或拉普拉斯方程 3.4.1 边值问题的类型 第一类边值问题：已知电位函数在全部边界面上的分布值。 狄里赫利问题 第二类边值问题：已知函数在全部边界面上的法向导数。 纽曼问题 第三类边值问题：已知一部分边界面上的函数值，和另一部分边界面上函数的法向导数。 混合边值问题 例： （第一类边值问题） （第三类边值问题） 3.4.2 唯一性定理 　若区域V内的电荷分布?和介质分布? 确定，在场域V 的边界面S上给定 或 的值，则拉普拉斯方程或泊松方程在区域V内的解唯一。 唯一性定理的意义 1、给出了静态场边值问题具有惟一解的条件 2、为静态场边值问题的各种求解方法提供了理论依据 3、为求解结果的正确性提供了判据 静态场部分典型例题 同轴线内导体半径为a，外导体半径为b。内外导体间充满介电常数分别为 和 的两种理想介质，分界面半径为c。已知外导体接地，内导体电压为U。 求:(1)导体间的 和 分布； （2）内外导体间电位分布； (3)同轴线单位长度的电容 （4）单位长度电磁能量 分析：电场方向垂直于边界，由边界条件可知，在媒质两边 连续 例 解：设内导体单位长度带电量为 由高斯定律，可以求得两边媒质中， （2） （3） （4） 导体球壳，内径为b，外径为c，球壳球心为半径为a导体球，导体球带电量Q。中间充满两种介质，介电系数分别为ε1和ε2，介质分界面如图所示。 求：（1）空间场分布E(r)； （2）空间电位分布； （3）自由电荷分布； （4）系统电场能量; (5) 内外导体间电容 解：由边界条件知， 连续。 （1）ra，该区域为导体空间，故： =0； arb，由高斯定理有 例 brc，该区域为导体空间，故： =0； rc， （2）求电位分布。 rc， arb， ra, brc，为导体区域，等势体，电位等于外表面电位 （3） 内导体表面上自由电荷面密度为 外导体的内表面上自由电荷面密度为 （4）总电场能量为 （5）内外导体间电位差为 如果两种场具有相同形式场的方程、相同的边界形状、等效的边界条件，则其解形式也必相同；如能求出一种场的解，则可通过替换对应物理量而得到另一种场的解。 恒定电场与静电场的比拟 基本方程 静电场（ 区域） 本构关系 位函数 恒定电场（电源外） 比拟法思路： 对应物理量 静电场 恒定电场 静电比拟法应用： 相同导体结构分别填充理想介质和导电媒质时，可通过改变表达式中对应量，可由G求C，或由C求G。 恒定电场与静电场的比拟 基本方程 静电场（ 区域） 本构关系 位函数 恒定电场（电源外） 例1 同轴线内外导体半径分别为a和b，填充介质?≠0，具有漏电现象。同轴线外加电源电压为U，求漏电介质内单位长度的漏电电导。 ? 解法一：静电比拟法： 填充理想介质时： 内外导体电势差： 由静电比拟，得同轴线内外导体单位长度漏电导为： 解法二： 设同轴线单位长度由内导体流向外导体电流强度为 ,则 内外导体间电位差为： 内外导体间单位长度漏电导： 内外导体间电场分布： 内外导体间电位分布： 导体媒质的功耗 功耗密度和功耗 一、静止电荷产生的场（静电场） 导体内部的静电场为零 导体表面的切向电场为零 等势体 导体内部的电荷为零 电荷只能位于导体表面，密集于表面尖锐部分 应用：静电感应，静电屏蔽，避雷针，… … 静态电场的典型现象和结论 二、运动电荷产生的直流电场（恒定电场） 导电媒质（ ）内部可存在电场 导电媒质表面的切向电场一般非零 非等势体 导电媒质内部可有运动电荷，但净电荷量为零 净电荷只能位于导体表面 理想导体（ ）内部电场为零，电流为零 理想导体边界上的电场垂直于表面 等势体 静态电场的典型现象和结论 3.3.1 恒定磁场的基本方程和边界条件 3.3.2 恒定磁场的矢量磁位和标量磁位 3.3.3 电感 3.3.4 恒定磁场的能量 3.3.5 磁场力 3.3 恒定磁场分析 出发点 Maxwell方程组 条 件 本构关系 边界条件 静态（恒定）磁场问题 2. 边界条件（一般性问题） 微分形式： 本