光刻工艺及设备.docVIP

光刻 加工平台  时文华 曾春红 王逸群 Email：whshi2007@ chzeng2007@ yqwang2008@ TEL62872517.  光刻培训流程  到平台秘书处报名预约培训  理论培训 填写培训申请表  需付费人签字  上机培训  实习期 实习期内不得独立上机 操作，需相关人员陪同   正式授权使用  ?正式授权后如一年内未进行上 机操作者需从新授权使用  光刻简介 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后 要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相相 似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片 与感光涂层。  光刻流程图 前部工艺 清洗 表面处理 涂胶 前烘 对准 曝光 坚膜 显影 后烘 核心工艺 否 去胶 检查  黄光室  通过 刻蚀 注入  基本工艺流程 ? 旋转涂胶 ?对准和曝光 ? 显影 光源 光刻版 光刻胶 衬底  光刻胶 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。 晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。 负性光刻胶 　负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 正性光刻胶 正性光刻胶曝光后软化变得可溶。 UV 负性胶 衬底 显影 正性胶 衬底 resister 光刻版 光刻胶 衬底  表面处理  ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜 晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面， 所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通 常在140度到200度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用HMDS （六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间 的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。（如下 图）  光刻胶 渗透 Attractive interaction 显影液 衬底  粘附力好表面  是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶的种类 来决定，HMDS 可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂覆。  粘附力差的表面  涂胶 ?表面处理 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜 1 2 3 4 1. 滴胶（静态、动态） 2. 加速旋转 3. 甩掉多余的胶 4. 溶剂挥发  膜厚 :  实验室现有匀胶设备： 国产匀胶台 SSE 涂胶台 双轨自动涂胶显影机  Process Troubleshooting  表面出现气泡 ?滴胶时胶中带有气泡 ?喷嘴尖端切口有问题或带刺 放射状条纹 ?胶液喷射速度过高 ?设备排气速度过高 ?胶涂覆前静止时间过长 ?匀胶机转速或加速度设置过高 ?片子表片留有小颗粒 ?胶中有颗粒 中心漩涡图案 ?设备排气速度过高 ?喷胶时胶液偏离衬底中心 ?旋图时间过长  中心圆晕 ?不合适的托盘 ?喷嘴偏离衬底中心 胶液未涂满衬底 ?给胶量不足 ?不合适的匀胶加速度 针孔 ?光刻胶内存在颗粒或气泡 ?衬底上纯在颗粒   resist 较薄的区域  如衬底图形台面 过高，要考虑到在台面上 的光刻胶要薄与实际希望的匀胶厚度（这 会影响到后步工艺）  衬底上突起结构 厚边 匀胶后在衬底边缘处会形成较厚的边（这会影 响到光刻的图形精度）。可在涂胶过程中加入 去边及背喷工艺 侧视图 掩膜 光 顶视图  光表面反射对图形的 影响(反射切口效应) 衬底   ?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜 前烘 前烘 : 目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面 的胶固化。 这个过程中胶中的溶剂基本被蒸发掉，因而通常 情况下胶的厚度会变薄（大约减少25%）  前烘可在热板或烘箱中进行。每一种胶都有其特定的前烘温度和时间,更厚的胶可能需要更