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第8章 光刻光刻是集成电路工艺中的一种重要加工技术，在整个光刻过程中，通过曝光和选择腐蚀等步骤，将掩膜版上设计好的图形转移到硅片上。光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。这些结构首先以图形形式制作在名为掩膜版的石英掩膜版上。紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。通常的光刻是这样进行的：光刻显影后图形出现在硅片上，然后用一种化学刻蚀工艺把薄膜图形成像在下面的硅片上，或者被送到离子注入工作区来完成硅片上图形区中可选择的掺杂。转移到硅片上的各种各样的图形确定了器件的众多特征，例如：通孔、器件各层间必要的互连线以及硅掺杂区。 光刻与微芯片的价格和性能密切相关。一个硅片的处理费用对于硅片上的芯片数目来说有很大的独立性；也就是说，既然工艺步骤、材料总量、硅片的传送对于两个硅片几乎完全相同，那么一个只有很少芯片数目的硅片与一个具有很多芯片的硅片耗费也相差无几。相同的代价而芯片数目越多意味着每个芯片的全部成本要低，仅需要在硅片上安排更多的芯片。 8.1 引言光刻使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形。光刻过程的其他说法是照相、光刻、掩膜、图形形成。总的来说，光刻指的是将图形转移到一个平面的任一复制过程。因此，光刻有时就指“复制”。对于半导体制造业，微光刻描述了用来形成非常细小的特征图形的过程，这在亚微米结构硅片制造中非常重要。 8.1.1 光刻概念 光刻处于硅片加工过程的中心，光刻常被认为是IC制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。据估计，光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占到三分之一。 转移到硅片表面的光刻图形的形状完全取决于硅片层面的构成。图形可能是硅片上的半导体器件、隔离槽、接触孔、金属互连线以及互连金属层的通孔。这些图形被转移到光敏光刻胶材料上，为进行刻蚀或离子注入的衬底做好准备。形成的光刻胶图形是三维的，因为光刻胶中的图形具有长、宽、高。在一个硅片上可能有成百个完全相同的芯片，每一个都需要将合适的图形转移到管芯上。 8.1.1 光刻概念光刻技术要应用光敏光刻胶或光刻胶，它们作为一种聚合可溶解物被涂在衬底表面，然后光刻胶被烘焙除去溶剂，下一步再将其用受控的光线曝光。光透过确定了所需图形的投影掩膜版。光刻胶是涂在硅片表面上的临时材料，仅是为了必要图形的转移，一旦图形经过刻蚀或离子注入，就要被去掉。 投影掩膜版是一个石英版，它包含了要在硅片上重复生产的图形。就像投影用的电影胶片的底片一样。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。光掩膜版常被称为掩膜版，并与投影掩膜版一词交换使用，它是一块石英版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。这里，投影掩膜版指的是对于一个管芯或一组管芯的图形，掩膜版则指对于整个硅片层所必要的整个管芯阵列或矩阵。由于在图形转移到光刻胶中光是最关键的，并且通过光学控制，所以光刻有时被称为光学光刻。 先进的CMOS IC可能需要30块以上的掩膜版用于在管芯上形成多层图形。每一个投影掩膜版都有独一无二的特别图形或特征图形，它被置于硅片表面并步进通过整个硅片来完成某一层。为了制作整个一层的硅片，必须要进行光刻和随后的操作（如刻蚀和离子注入）。 8.1.1 光刻概念光刻技术要应用光敏光刻胶或光刻胶，它们作为一种聚合可溶解物被涂在衬底表面，然后光刻胶被烘焙除去溶剂，下一步再将其用受控的光线曝光。光透过确定了所需图形的投影掩膜版。光刻胶是涂在硅片表面上的临时材料，仅是为了必要图形的转移，一旦图形经过刻蚀或离子注入，就要被去掉。 投影掩膜版是一个石英版，它包含了要在硅片上重复生产的图形。就像投影用的电影胶片的底片一样。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。光掩膜版常被称为掩膜版，并与投影掩膜版一词交换使用，它是一块石英版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。这里，投影掩膜版指的是对于一个管芯或一组管芯的图形，掩膜版则指对于整个硅片层所必要的整个管芯阵列或矩阵。由于在图形转移到光刻胶中光是最关键的，并且通过光学控制，所以光刻有时被称为光学光刻。 先进的CMOS IC可能需要30块以上的掩膜版用于在管芯上形成多层图形。每一个投影掩膜版都有独一无二的特别图形或特征图形，它被置于硅片表面并步进通过整个硅片来完成某一层。为了制作整个一层的硅片，必须要进行光刻和随后的操作（如刻蚀和离子注入）。 8.1.1 光刻概念 光刻工艺的特征尺寸-工艺水平的标志 随着VLSI集成度的增大，要求集成电路内部器件尺寸越来越小。光刻工艺能刻蚀出多细的线条已成为影响超大规模集成电路可达到的集成度，从而限制其规模的关键工艺之一。在保证一定成品率前提下刻蚀出的最细光刻线条称为特征尺寸。特征尺寸反映了光刻水平的高低，同