11-14下第5章.pptVIP

DRAM的引脚图 返回 DRAM的刷新 DRAM内部 有“读出再生放大电路”的刷新电路 设计有仅行地址有效的刷新周期 每次刷新一行存储单元 存储系统的外部刷新控制电路 将刷新行地址同时送达所有DRAM芯片 所有DRAM芯片同时进行一行的刷新 在一定时间间隔内启动一次刷新 每次行地址增量 PC机刷新：15.6μs 高性能DRAM FPM DRAM（快页方式DRAM） 同一行的传送仅改变列地址 页内访问速度加快 EDO DRAM（扩展数据输出DRAM） 数据输出有效时间加长（扩展） SDRAM（同步DRAM） 公共的系统时钟，没有等待状态 支持猝发传送，内部采用交叉存储 DDR DRAM（双速率DRAM） 同步时钟前沿和后沿各进行一次数据传送 RDRAM（Rambus DRAM） Rambus公司专利技术，全新设计 返回 四.只读存储器ROM ROM的特点：正常工作时只能读出不能写入，断电时其中内容不会丢失 掩膜ROM：信息制作在芯片中，用户不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 1. EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有