ZnO纳米材料的制备、表征及性能试题.doc

目 录 中文摘要 I Abstract III 第一章 绪论 1 1.1 纳米材料的概念及其特性 1 1.2 ZnO结构的特点与性质 4 1.3 ZnO纳米结构的典型形貌 8 1.4 ZnO纳米材料的制备及研究概况 13 1.5 ZnO纳米材料的性能及应用 15 1.6 选题依据和研究内容 16 第二章 实验设备与测试表征方法 19 2.1实验设备介绍 19 2.2实验中所需要的主要材料和试剂 21 2.3衬底的处理 21 2.4样品的测试与表征 21 第三章 四角状ZnO纳米结构的制备及机理研究 25 3.1 四角状ZnO纳米结构的制备 25 3.2 四角状ZnO纳米结构的表征 26 3.3 四角状ZnO纳米结构的生长机理 30 3.4 本章小结 32 第四章 多角状ZnO纳米晶须的制备及机理研究 33 4.1多角状ZnO纳米晶须的制备 33 4.2多角状ZnO纳米晶须的表征 34 4.3多角状ZnO纳米晶须的生长机理 39 4.4本章小结 42 第五章 花束状ZnO纳米棒的制备及机理研究 43 5.1花束状ZnO纳米棒的制备 43 5.2花束状ZnO纳米棒的表征 43 5.3花束状ZnO纳米棒的生长机理 48 5.4 本章小结 50 第六章 全文总结及对今后研究工作的建议 51 参考文献 53 硕士期间发表的论文 59 致 谢 61ZnO纳米材料的制备、表征及性能研究 中文摘要 近年来，由于宽禁带半导体材料在短波长发光器件、光探测器和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速,成为研究的热点。ZnO是一种非常重要的多功能n型II–VI3.37 eV，而且具有很大的激子束缚能和很好的热稳定性。喷雾热解法ZnO纳米结构。 本文采用脉冲激光沉积和热蒸发法制备了ZnO多种纳米结构。用X射线衍射XRD、傅里叶红外吸收谱FTIR、扫描电子显微镜SEM、透射电子显微镜TEM、高分辨透射电镜HRTEM和光致发光谱PL等测试手段详细的分析了ZnO纳米材料的结构、组分、形貌和光致发光特性。并初步提出了核的大小影响ZnO纳米结构的形貌的观点,并对ZnO纳米结构的生长机理进行了研究。所取得的主要研究结果如下： 1. 利用脉冲激光沉积PLD技术预先在蓝宝石001衬底上制备了ZnO薄膜，在Si111衬底上制备了Zn薄膜。制备的ZnO和ZnZnO薄膜为ZnO四角纳米结构的生长提供了生长点，Zn薄膜则能够有效地促进ZnO晶核的形成从而有效地促进ZnO纳米结构的生长。 2. 利用非催化的热蒸发的方法在沉积了ZnO薄膜的蓝宝石001衬底上制备了四角ZnO纳米结构，在镀Zn薄膜的Si111衬底上制备了多角状的ZnO纳米晶须和花束状ZnO纳米棒。用X射线衍射XRD、傅里叶红外吸收谱FTIR、扫描电子显微镜SEM、透射电子显微镜TEM、高分辨透射电镜HRTEM、选取电子衍射SAED和光致发光谱PL等测试手段对ZnO纳米结构进行了分析。 3. ZnO纳米结构光学特性的研究。在室温下，用波长为325 nm的Xe灯作为激发光源激发样品发光。多种ZnO纳米结构都只有一个紫外发光峰和一个绿光发光峰。对于紫外发光峰对应于六方纤锌矿ZnO纳米结构的近带边发射,通常认为近带边发光归因于激子辐射复合发光。而对于绿光发光峰，通常被认为是由于深能级或缺陷态复合发光。一般认为绿光发光源于单个电离的氧空位与价带空穴之间的辐射复合跃迁所致。因此，我们认为在实验中的绿光发光峰是因为制备的ZnO纳米结构中存在氧空穴所致。 4. 通过对ZnO纳米结构的生长过程的分析，我们讨论了各种ZnO纳米结构的生长机理。研究了在衬底上镀不同薄膜对ZnO纳米结构形貌的影响。并提出了核的大小影响ZnO纳米结构形貌的观点。 关键词：ZnO纳米结构；脉冲激光沉积；热蒸发；光致发光 分类号：TN304.21Fabrication, Characterization and Properties of ZnO Nanostructures AbstractIn recent years, the wide band gap semiconductor has attracted a lot of interests and advanced rapidly, mainly due to their promising applications in short-wave light emitting devices，hotodetectors and high power electronic devices. Zinc oxide ZnO, is one of the most important multifunctional n-type II–VI compound semi