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* 五、基于BSIM3的Spice仿真基础 MOS晶体管的Netlist表达 （D G S B） 模型描述 .Model Model Name Model Type Model Parameters 例: M1 3 6 7 0 NCH NMOS W=100U L=1U Level=1 VTO-1 KP=50U GAMMA=0.5 LAMBDA=0.01 * Hspice输入文件格式（.sp） Include files .INC ‘and2.subckt’ Library Call .LIB ‘/vlsi-data/eda_models/hspice/tsmc035/logsp35.l’ TT Netlist mp1 1 2 vdd! vdd! pch w=2.8u l=0.6u mn1 1 2 gnd! gnd! nch w=1.4u l=0.6u C1 3 gnd! 250fF IC=3.3V R2 2 3 100meg Output Control .meas tran Tr TRIG v(in) val=‘3.3/2 TD=’10n RISE=1 + TARG v(out) val=‘3.3/2 RISE=1 .meas tran Tf TRIG v(in) val=‘3.3/2 TD=’10n FALL=1 + TARG v(out) val=‘3.3/2 FALL=1 .meas Tdelay param=(Tr+Tf)/2 * BSIM4模型 对亚0.13um MOSFET器件而言，信号的频率以及寄生参数等都发生了很大的改变，因此BSIM3模型的精确性出现了问题，在此基础上扩展出BSIM4模型。 阈值电压的短窄通道效应 非均匀掺杂效应 由于垂直领域引起的迁移减少 容积电荷效应 载流子速度饱和量子力学电荷厚度模型 统一闪烁噪声模型 * Thanks！ 西安电子科技大学 * Analog and Mixed-Signal Integrated Circuit Design--CMOS器件模型 西安电子科技大学微电子学院 刘帘曦 西安电子科技大学 * 从Bipolar到CMOS 西安电子科技大学 * SIA Roadmap 西安电子科技大学 * Law of Moore 西安电子科技大学 IC上，单位面积内可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 * ISSCC 2005 西安电子科技大学 * 器件模型概述 西安电子科技大学 器件模型作用 为电路模拟提供精确的数学模型 用模拟结果辅助电路设计与优化 器件模型建模考虑因素 模拟精度 仿真效率 模型参数提取的容易程度 * CMOS器件模型 一、简单的MOS大信号模型（直流） 二、寄生效应 三、MOS小信号模型（交流） 四、Spice Level1~3 Model 五、基于BSIM模型的Spice仿真基础 西安电子科技大学 * 一、简单的MOS大信号模型（Level 1） 西安电子科技大学 大信号模型是非线性模型； 通过方程式描述器件特性，而这些方程是直接从器件物理导出的； 表征器件电压（VGS等）与器件电流(直流值)的关系 Level 1模型，由Sah建议，Shichman和Hodges使用，主要包括VT（阈值电压）、K`（饱和区跨导参数）、λ（沟道长度调制参数）、γ（体阈值参数）、фF等。 小信号模型是在大信号模型基础上建立的。 * MOS的结构 * MOS Cross Section 西安电子科技大学 * NMOS特性（VDS=0.1V） 西安电子科技大学 * NMOS输出特性（VGS=2VT） 西安电子科技大学 * NMOS输出特性（VDS=4VT） 西安电子科技大学 * 修正的Sah模型 西安电子科技大学 * 饱和区和非饱和区 西安电子科技大学 * IDS Vs. VGS and VDS 西安电子科技大学 * 衬底电压对NMOS阈值电压VTH的影响 西安电子科技大学 * 0.6um CMOS工艺的大信号模型参数 西安电子科技大学 * 二、寄生电容 耗尽电容：CBD、CBS 栅电容：CGS、CGD、CGB 西安电子科技大学 * 耗尽电容CBD、CBS 其中ABD为Bulk-Drain面积； 0.33MJ0.5 西安电子科技大学 * 栅电容：CGS、CGD、CGB 西安电子科技大学 交叠电容C1、C2（栅-沟道交叠电容）、C3 * 寄生电容总结（1） 西安电子科技大学 * 寄生电容总结（2） 对于氧化层厚度为140A