华科模电CH052MOSFET放大电路.pptVIP

5.2.1 MOSFET放大电路 FET放大电路的三种组态 1. 直流偏置及静态工作点的计算 3.小信号模型分析 * * (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 图解法、微变等效电路法。 分析方法： 5.2 MOSFET放大电路 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 输入在栅极,输出在漏极:共源极放大电路(CS) 输入在栅极,输出在源极:共漏极放大电路(CD漏极输出器) 输入在源极,输出在漏极:共栅极放大电路(CG) （1）简单的共源极放大电路（N沟道） （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 （3）电流源偏置的NMOS共源极放大电路 场效应管的静态工作量由那些参数决定？ VGS、VDS、ID 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路 如何画直流通路和交流通路？ 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 设Rd=15k?，VZ=3V, VDD=5V， VT=1V，Kn=0.2mA/V2, 求静态工作点 （2） Rg1=45k?，Rg2=5k? , （3） Rg1=70k?，Rg2=30k? , VDD + - vi + - vo Vz （1） Rg1=60k?，Rg2=40k? , 解：（1）先求VGS： （4） Rg1=30k?，Rg2=30k? , 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 VDD + - vi + - vo Vz （2） Rg1=45k?，Rg2=5k? , （3） Rg1=70k?，Rg2=30k? , 截止区 所以工作于饱和区VDSQ=3V 如果 Rg1=30k?，Rg2=30k? ,结果又如何？ 假设工作于饱和区 VDD + - vi + - vo Vz （4） Rg1=30k?，Rg2=30k? , 假设工作于饱和区 假设不合理，设工作于可变电阻区 故工作于可变电阻区，VDSQ=0.5V 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） 求出VGS VDS ＝ VDD － ID RD － VS （3）电流源偏置的NMOS共源极放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 vi vGS＝VGG Q iD 0 ωt vDS 0 ωt IDQ id VDSQ vds （1）模型（微变等效电路） （2）放大电路分析 共源极放大电路 共漏极放大电路 互导 漏极输出电阻 vGS iD vDS 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 g s d 很大， 可忽略。 ?=0时 （1）模型（微变等效电路） 3. 小信号模型分析 高频小信号模型 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） 取id所在回路 取vgs所在回路 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 （3）共漏极放大电路 vo +VDD RS vi C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 3. 小信号模型分析 ri RL 输入电阻 ri 输出电阻 ro g R2 R1 RG s d RS 微变等效电路 ro? ro 场效应管放大电路小结 (1) 场效应管放大器输入电阻很大。 (2) 场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。 (3) 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。 例