Chap5-semiconductor固体理论-半导体.ppt

2) 栅极电压达到或超过一定的阈值，Insulator_P-Si表面处形成反型层 —— 电子的浓度大于体内空穴的浓度 3) 通过控制栅极电压的极性和数值，使MOS晶体管处于导通和截止状态，源区S和漏区D之间的电流受到栅极电压的调制 —— 集成电路应用 —— 反型层将源区S和漏区D连接起来，此时在SD施加一个电压，则会有明显的电流产生 2、理想MIS结构： （1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无电荷 且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体 界面处不存在界面态。 MIS结构 等效电路 金属的功函数Wm 表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm E0为真空中电子的能量，又称为真空能级。 金属铯Cs的功函数最低1.93eV，Pt最高为5.36eV 功函数：Wm、Ws？ 半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体 的功函数。 用Χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带 底的电子逸出体外所需要的最小能量。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Note: 和金属不同的是，半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以，Ws也和杂质浓度有关。 3、MIS结构的电容－电压C-V特性 MIS结构是组成MOSFET等表面器件的基本部分； 电容－电压特性是用 于研究半导体表面和 界面的重要手