固体光学晶体光学5.pptVIP

固体光学-晶体光学5 第一部分：电光效应 1、电光效应的基本原理； 2、线性电光效应的一般描述； 3、纵向电光效应； 4、横向电光效应。 一、电光效应的基本原理 在外加电场的作用下，晶体折射率发生变化的现象称为电光效应。电光效应的产生是由外加低频电场作用时改变了介质内电子极化引起的，在没加低频电场时，以传统光照射晶体，光波电场(E(?)＜6×102V/m)与晶体介质作用将产生光频电位移D(?) 二、线性电光效应的一般描述 三、结构对称性对电光系数的影响 四、KDP晶体线性电光效应 第二部分：电光效应 1、?63横向电光效应 2、?41纵向电光效应、横向电光效应。 3、二次电光效应 一、?63横向电光效应 与纵向效应类似，?63横向效应仍然是使原来单相晶体的旋转椭球体绕x3轴转45o变成双轴晶体的三轴椭球，经主轴化后，三个主折射率山n’1, n’2, n’3与?63纵向效应的相同。在外加电场E3前后，垂直x3轴的光率体中心截面变化与?63纵向效应也完全相同(见图) Z-45o切 K 在?63的横向效应中沿Z-45。切片的长度l[110]方向通光就是使K//x’1如图所示。此时在晶体中产生的振动方向互相垂直的二线偏振光折射率为n’2和n’3，过晶片后其位相延迟为: 第一项表示自然双折射(no-ne)所引起的位相延迟，不随外加电场而变；第二项是由于外加电场E3引起的位相延迟，它不仅与外加电场有关，而且也与KDP晶体的尺寸l/d(纵横比)有关。这是?63纵向效应的位相延迟不具备的特点，由此可通过改变l/d来降低?63的横向效应的半波电压。 在?63的横向效应中电场和光传播方向是互相垂直的，避开了?63纵向效应中电极选择的难题。但是由于?63横向效应中的位相延迟?与晶体的自然双折射率有关，易受温度影响。在工程技术中为了消除这种温度影响而常采用两种补偿办法。 1、一种是两块长度 l 相同，厚度d 相等，即规格相同的两块晶体，使其光轴互成90o串联而成; 2、另一种是两块规格相同的晶体构x3和x’1都反平行，中间放置—个?/2波片。 （a）所示装置中通光和加电压情况，由第I块晶体产生的位相差： 从第II块晶体产生的位相差 这里由于第I块晶体电场沿+x3方向而第II块晶体电场沿-x3方向，故总的位相差： 补偿办法将自然双折射率(no-ne)消除。只要保持两块晶体的温度相等(或同步变化)就可避免温度对位相差的影响。补偿后的半波电压： 采用这种补偿办法时，晶体长度要严格相等。例如，对于?＝0.6328 um的光而言，在?l＝l1-l2=0.1mm，温度变化?T＝1oC时，位相差? ?＝0.6o，所以对晶体加工精度要求很高，否则误差很大。 二、?41的纵向效应和横向效应 沿KDP晶体的x1方向和沿x2方向加电场是等效的，均可得到与?41有关的光率体变化 现假设沿x2方向加电场E=(0，E2，0): 外加电场E2后，KDP晶体的光率体方程变为: 进行主轴化，三个主系数为 主轴化后光率体方程变为: 相应的主折射率为： 光率体绕x2轴转过的角度?为 * 前面讨论的是晶体不受外场(电场、应力(应变)场、磁场、温场)的作用，只受到传统光源发出的光照射时晶体的光学性质。事实上，外场作用对晶体的光学性质有很大的影响。在1815年布鲁斯持就曾提出在应力作用下胶状物通光可观察到从无双折射到有双折射现象。1875年克尔(Kerr)就发现对光学各向同性介质（玻璃、硝基苯溶液)施加电场时，会出现与各向异性的晶体类似的双折射现象。以后又发现玻璃和立方晶系晶体或单轴品体在其它外场作用下具有双抽晶体的光学性质等等。从而出现了所谓的电光效应、弹光效应．磁光、热光、光折变等效应。 晶体在受到光照的同时，也受到外电场(低频或直流)的作用，则其非线性极化强度为 若只考虑二次非线性极化有： 其中： 则有： 式中?0为末加外场时的介电常数，上式说明加上外场后，介电常数的变化与外场E(?)成线性关系. 对于非磁性晶体介质，则有 外加电场E(?)引起晶体折射率发生线性的变化即产生线性电光效应： 晶体中光波的E矢量和D矢量之间关系满足: 菲涅尔椭球： 折射率椭球： 假设某晶体在没加外电场时，光率体为： 加外电场E(?)后，光率体变为: 其中： 描述电光效应可用光率体的变化来直观地表示： 折射率的改变： 线性电光效应： 1892年，普克尔首先提出了有些晶体的折射率(或逆介电张量?)的变化仅与外加低频电场E(?)成正比的关系。这就是所谓的普克尔效应，也称线性电光效应，或一次电光效应。 由于?是二阶张量，E是一阶张量(矢量)，故?ijk形成 三阶张量?。 当直角坐标系选在与晶体对称轴一致时,?0ij只有三个 主分