4.生物医学传感-电阻传感器2.ppt

一、压阻效应 压阻效应：当固体材料在某一方向承受应力时，其电阻率（或电阻）发生变化的现象。 压阻式传感器分类 体型压力传感器： 半导体应变式 固态压阻式传感器（扩散型压阻传感器）： 应变电阻与硅基片一体化 固态压阻式传感器的特点 灵敏度高 分辨率高 体积小、重量轻、频率响应高 温度误差大 【例】 电阻率的变化与应力分量之间的关系: 分析: 剪切应力不可能产生正向压阻效应 正向应力不可能产生剪切压阻效应 剪切应力只能在剪切应力平面内产生压阻效应 剪切压阻系数相等 正向压阻系数相等 横向压阻系数相等 对P型硅(掺杂三价元素）： π11、 π12≈0，只考虑π44 ： 对N型硅(掺杂五价元素）： π44 ≈0 ， π12 ≈ -1/2π11 ， 2、任意方向（P方向）电阻变化 将各个压阻系数向P、Q方向投影: [例1]：计算（100）晶面内[011]晶向的纵向与横向压阻系数。 [例2]：计算（110）晶面内[110]晶向的纵向与横向压阻系数。 解释： 1、在[110]晶向：扩散两个径向P型电阻 2、在[110]晶向：扩散两个切向P型电阻 所以： 如：扩散在0.812r处，此时σt=0 电桥输出为： 2、恒流源供电 4、灵敏度温度漂移 补偿方法1：改变电源电压的方法 压阻式传感器常用补偿方法 硬件线路补偿 软件补偿 专用补偿芯片补偿 ? MCA7707是一种采用CMOS工艺的模拟传感信号处理器。它通常被应用于压阻式压力传感器的校正和温度补偿。 应用——三角翼表面压力测量 微机电系统的微细加工技术 单晶硅立体结构的腐蚀加工过程 表面腐蚀加工——牺牲层技术形成硅梁过程 小 结 压阻式传感器的工作原理 压阻效应、晶面晶向的表示(密勒指数、方向余弦) 压阻系数、阻值变化的计算 纵、横向压阻系数的计算 任意方向电阻条电阻变化的计算 温度漂移及其补偿 四、固态压阻器件 1、器件的结构原理 １ ２ ３ ４ ５ ７ ６ 1 N-Si膜片 2 P-Si导电层 粘贴剂 硅底座 引压管 Si 保护膜 7 引线? 当硅单晶在任意晶向受到纵向和横向应力作用时，如图 (a)所示，其阻值的相对变化为： 力敏电阻受力情况示意图 （a） [001] [100] [010] πlσl πtσt R 径向电阻Rr 切向电阻Rt πtσr πlσr πtσt πlσt Rr Rt （b） 若圆形硅膜片周边固定，在均布压力的作用下，当膜片位移远小于膜片厚度时，其膜片的应力分布为： 式中r、x、h——膜片的有效半径、计算点半径、厚度（m）； μ——泊松系数，硅取μ=0.35； P——压力（Pa）。 平膜片的应力分布图 σt σr σr σt σt σr 3P 4 r h 2 3Pμ 4 r h 2 3P(1+μ) 8 r h 2 0 0.5 1 x=0.812r x=0.635r 方案一：既利用纵向压阻效应又利用横向压阻效应 在[001]晶向的N型硅膜片上，沿[110]与[110]两晶向扩散四个P型电阻条 x y z [110] [110] r 电阻变化与r的关系： 方案二：只利用纵向压阻效应 在[110]晶向的N型硅膜片上，沿[110]晶向在0.635r之内与之外各扩散两个P型电阻条，[110]的横向为[001]。 [110] [001] R1 R2 R3 R4 [110]方向方向余弦： [001]方向方向余弦： 平膜片的应力分布图 σt σr σr σt σt σr 3P 4 r h 2 3Pμ 4 r h 2 3P(1+μ) 8 r h 2 0 0.5 1 内、外电阻值的变化率应为： 即可组成差动电桥。 式中 、 ——内、外电阻所受径向应力的平均值 ——内外电阻的相对变化。 设计时，适当安排电阻的位置，可以使得: = 于是有 1、恒压源供电 R1+ △R1 R2 - △R2 Uout R3- △R3 R4+ △R4 五、测量桥路及温度补偿 当△Rt=0时： △Rt≠0时，Uout=f(△t)是非线性关系，恒压源供电不能消除温度影响。 B R1+ △R1 R2 - △R2 Uout R3- △R3 R4+ △R4 A C D 可见，电桥输出与电阻变化成正比，即与被测量成正比，与恒流源电流成正比，即与恒流源电流大小和精度有关。但与温度无关，因此不受温度的影响