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第二章 P N 结 2015,03/02-06/10 * 半导体器件物理 Physics of Semiconductor Devices 许高斌，博士、教授 Prof. Gaobin Xu Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province, School of Electronic?Science? Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei China 230009 Email：gbxu@hfut.edu.cn, Tel: 0551) 讲授内容 （1-15周/28） PN结 双极结型晶体管 金属-半导体结 JFET和Metal-Semi.-FET MOSFET场效应晶体管 其他半导体器件 课程要求 掌握典型半导体器件的原理、特点及应用 学习分析典型半导体器件的方法 提高解决实际问题的能力 考试要求 平时成绩 30% 期末考试 70％ 热平衡PN结 第二章 PN结 Lecture 1：§2.1 1. PN结的形成机理与接触电势 2. 空间电荷区的电场与宽度 3. 平衡PN结的载流子分布 一般将锗和硅称为第一代半导体材料。将砷化镓、磷化铟等称为第二代半导体材料，而将宽禁带的碳化硅、氮化镓和金刚石等称为第三代半导体材料 1、扩散法 在N型或P型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得的PN结，其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。在这种PN结中，杂质浓度从P区到N区是逐渐变化的，通常称为缓变结。 一、PN结的形成机理与自建电势 2、离子注入法 突变结近似 线性缓变结近似 杂质扩散PN结的杂质分布示意图 表面浓度很低，结深很深的扩散结，看作线性缓变结； 表面浓度很高，结深很浅的扩散结，看作单边突变结。 离子注入法： 在掩模板窗口附近的横向分布为余误差分布， 纵向近似为高斯分布。 横向 横向 纵向 当这两部分半导体靠得很近，甚至相互接触时，由于交界面存在着电子和空穴的浓度差，N区中的电子要向P区扩散， P区中的空穴要向N 区扩散。这样，对于P区，空穴离开后，留下了不可动的带负电的电离受主，这些电离受主在PN结的P区侧形成了一个负电荷区；同样的，在N区由出现了由电离施主构成的正电荷区，这个交界区域就是PN结。通常把PN结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷，它们所在的区域称为空间电荷区。 3、形成机理 由于电场的存在使得电子和空穴产生漂移运动，与它们的扩散运动正好相反，当电场强到使载流子的漂移运动和扩散运动相抵消时（大小相等、方向相反），此时的PN结达到了平衡态，这就是平衡PN结。 出现空间电荷区后，在空间电荷区中形成一个电场，电场的方向由带正电的N区指向带负电的P区，这个电场称为自建电场。 电子扩散 空穴扩散 空穴漂移 电子漂移 自建电场 N P 平衡PN结的能带图 N半导体的费米能级EFn位于本征费米能级Ei之上，P型半导体的费米能级EFp位于本征费米能级Ei之下。当N型和P型半导体结合成PN结时，若没有外加电压，则有统一的费米能级EF ，即费米能级处处相等。也就是说，N区的能带相对于P区下移（或者说P区的能带相对N区上移），从而使得两个区的费米能级拉平。 平衡PN结具有统一费米能级，恰好体现了每一种载流子的扩散运动和漂移运动电流相互抵消，从而没有净电流通过PN结 能带的相对位移是PN结空间电荷区存在自建电场的结果，由于自建电场的方向是由N区指向P区的，表明P区的电势比N区的电势低。而能带图是按电子能量的高低画的，所以P区电子的势能比N区的势能高，也就是电子的电势能-qψ(x)由N区向P区不断升高。 接触电势差 电势变化量 qψD ψD 自建势场由N区指向P区，表明P区的电势（电位）比N区的电势低 平衡PN结空间电荷区内能带发生弯曲，它反映了空间电荷区内电子势能的变化。电子从势能低的N区向势能高的P区运动，必须克服这个势能“高坡” ；同理，空穴必须克服这个势能“势垒”才能从P区到达N区，这个势能“高坡”通常称为PN结的“势垒”，所以空间电荷区也叫势垒区。 qψD 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 形成PN结 PN结的形成机理 二 空间电荷区的电场与宽度 对于突变结的边界层，难以得到解析解，利用数值法进行求解。可得边界层的宽度约为一特征长度的3倍，此特征长度称为非本征德拜(Debye)长度： 通常情况下，它远小于耗尽区的宽度，因此边界层可以忽略不计 因此： 可简单的将PN结化分为中