4存储器-1概述EDAC2014资料.ppt

第四章 存储子系统 本章需解决的主要问题： （1）存储器如何存储信息？ （2）在实际应用中如何用存储芯片组成具有一定容量的存储器？ 第一节 概述 1.存储器的层次结构 CPU Cache 主存 外存 （1）主存 （内存,DRAM） 主要存放CPU当前使用的程序和数据。 工作速度快 容量有限 （2）辅存 （外存,磁盘） 存放大量的后备程序和数据 速度较慢 容量大 能随机访问 （3）高速缓冲存储器，DRAM 存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序和数据，以缓解CPU和主存的速度差异。 速度很快 容量小 CPU Cache 主存 外存 2.物理存储器与虚拟存储器 物理存储器:真正在物理上存在的存储器，简称为实存，其地址称为物理地址或实地址 虚拟存储器:虚拟存储器是一个逻辑模型，并不是一个实际的物理存储器，靠操作系统来实现，在软件编程上可用。其容量称为虚拟存储空间，地址称为虚拟地址或逻辑地址 3.存储器的分类(按存储介质) （1）半导体存储器 静态存储器SRAM:利用双稳态触发器的两个稳定状态存储信息,信息易失 动态存储器DRAM:依靠电容上的电荷暂存信息，主存 （2）磁表面存储器 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息,容量大,非破坏性读出,长期保存信息,速度慢,外存 （3）光盘存储器 利用光斑的有无表示信息,容量很大，非破坏性读出,长期保存信息,速度慢,外存 只读型光盘CD-ROM 一次写入型光盘WORM 可擦除重写型光盘 3.存储器的分类(按存取方式) 随机存取： 可按地址访问存储器中的任一单元，访问时间与单元地址无关 （1）随机存取存储器(RAM) （2）只读存储器(ROM) RAM： 存取周期或读/写周期 固存： （ns） 可读可写 ROM： 只读不写 PROM： 用户不能编程 用户可一次编程 EPROM： 可多次编程 （紫外线擦除） EEPROM： 可多次编程 （电擦除） 速度指标： 作主存、高速缓存。 Flash Memory（闪存） SDR、DDR （3）顺序存取存储器（SAM） 访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。 等待操作 平均等待时间 读/写操作 两步操作 速度指标 （ms） 数据传输率 （字节/秒） （4）直接存取存储器（DAM） 访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。 三步操作 定位（寻道）操作 等待（旋转）操作 读/写操作 速度指标 平均定位（平均寻道）时间 平均等待（平均旋转）时间 数据传输率 （ms） （ms） （位/秒） 4.存储器系统的关键特性 (1)存取时间 (2)存取周期 (3)数据传输率 从存储器收到读写命令，到存储器读出（写入）信息所需要的时间，TA 存储器做连续访问操作过程中一次完整的存取操作所需的全部时间，TM (通常TMTA) 数据传入或者传出存储器的速率，R TN=TA+N/R, 其中TN: 读写N位的平均时间, TA:平均存取时间, N:位数, R:传输率,位数/每秒(bps)