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Electrical properties and far infraredoptical conductivity of boron-doped single-walled carbon nanotube films XMLiu, HR Gutierrez and P C Eklund Introduction SWCNTS有很好的光学传输性能和低的表面阻抗，适用于光电领域，而B掺杂可以改变探望的SP2杂化同事不会影响六边二维的原子排布，B掺杂主要有两种方法一种是是合成SWCNTS时直接掺杂，另一种是用B2O3和arcchanshengde SWCNTs混合，在ar和NH3中退化进行掺杂。本文是用一种高温下在溶液中让B2O3均匀分散在SWCNTs表面，高温可以影响碳网的SP2轨道今儿掺杂B，并且用了far-IR来表征B掺杂引起的管内光学导电率的改变以及在改变半导体CNTs的光学性能中B的作用 Experimental detail SWCNTS样品的准备和除杂 SWCNTs用PLV来进行制备获得高透明低缺陷的样品，但这里面会包含一些无定形碳和汗金属催化粒子的石墨层，这回影响其光电性质，因此要除杂 除杂：包括3步，第一步 60℃，在H2O2溶液中回流48小时。第二步加入3mol/lHCL，回流24H，最后用去离子水洗涤干燥，得到P-SWCNTS。 B掺杂SWCNTS 首先将B2O3溶解在异丙醇中，加入P-SWCNTS，超声处理，B2O3容易溶解在乙醇形成硼酸，又可以和水反应，可以加热除气去水形成B2O3，这样可以让硼离子均匀分布在SWCNTS表面，然后用聚碳酸酯膜（孔径1μm）过滤，然后将材料放入放入到船型氧化铝内放入到管内，在AR和H2 100sccm（10%H2）氛围中,180℃反应2h,然后升温到1000℃，反应30min，这样碳原子会被氧化形成CO，形成BxC. conclusion 本文得到了一种洁净均匀的掺杂B的SWCNTS，而这种物质在电学性能上有着很大的改变，通过数据分析B掺杂提高了直流导电率，远红外也表明了在低能量是有一个额外宽带，这和由于B掺杂而引入到半导体纳米管的价带的额外自由载子 ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES OFSINGLE-WALLED CARBON NANOTUBEBUNDLES TREATED WITH BORIC ACID DALE HITCHCOCK, KEQIN YANG and JIAN HE introdution SWCNTS的类似一维管状结构使其有独特的光电磁热力学性能，本文用放电等离子体烧结在1200℃烧结在硼酸中超声的SWCNTS,硼酸浓度分别为0%、2.5%、5%、7.5%、12.5%、15%，其中7.5%的表现了最小的量级和对温度的依赖，并且有一个明显的声阻峰，而其他样品没有。 Experimental details 用B浓度不断增加的硼酸吸收arc制备的SWCNTS,称量SWCNTS和硼酸粉末质量，将其在乙醇中超声5min原子比B:C为0、5、7.5、12.5、15，然后真空干燥研磨10min放入SPS，在1200℃真空烧结5min形成致密芯。XRD并没有发现硼酸存在，拉曼发现了SWCNTS的射线在170，切线在1590cm。 conclusion 本文采用将SWCNTS溶解在不同浓度的硼酸溶液中，在用SPS烧结得到产物，硼酸溶液的浓度变化明显影响了ρ和S的量级和对温度的依赖，其中7.5%的性能结果最好，这归结于费米能级对狄拉克点的亲近和增强的电子声子耦合。 * *