共射共基共集多级差放.pptVIP

结论： 双端输出时的差模增益等于半边差模等效电路（单管电路）的电压增益。 增加一个管子，增益没变。但换来对零漂等共模干扰的抑制，即抗干扰能力增强。 共模抑制比KCMR 综合考察差分放大电路放大差模信号的能力和抑制共模信号的能力。 CMRR — Common Mode Rejection Ratio 差分放大电路的改进 由前分析可知：Re 越大，每一边的漂移越小，共模负反馈越强，Ac越小，KCMR越大，差分放大电路的性能越好。 但为使静态电流不变，Re 越大，VEE越大，以至于Re太大就不合理了。 需在低电源条件下，设置合适的IEQ，并得到（等效）趋于无穷大的Re。 解决方法：采用电流源取代Re！ 有源负载电流源差分放大电路 R UCC -UEE ΔuI2 ΔuI1 ΔuO + + + － － － Rb Rb 例1，阻容耦合晶体管共射放大电路中，β=200，rbb′= 0。求电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro 150k 9V + _ ΔuO ΔuI C1 C2 Ce + _ 10k 82k 0.2k 10k 4.2k 阻容耦合共射放大器 10k 150k 9V 82k 4.4k 10k 150k 9V 82k 4.4k 0.7V IB 0.2k 10k 53k + _ ΔuO 10k + _ ΔuI 0.2k + _ ΔuO 10k 9.3k ΔiB 53k + _ ΔuI 10k 0.2k + _ ΔuO 10k 9.3k ΔiB 53k + _ ΔuI 10k 阻容耦合共基放大器（举一反三） 直流通路与射极偏置电路相同 1. 静态工作点 I1、I2IB 2. 动态指标 输出回路： 输入回路： 电压增益： (同相放大器) 阻容耦合共集放大电路 + _ ΔuI Re Rb UCC + _ ΔuO C1 C2 RL Re Rb + _ ΔuO RL + _ ΔuI 2、静态工作点附近的小信号分析 交流通路——晶体管用h参数模型 + _ ΔuI Re Rb + _ ΔuO RL + _ ΔuO Re rbe Rb ΔiB + _ ΔuI RL Re Rb + _ ΔuO RL + _ ΔuI Re rbe Rb ΔiB RL + _ ΔuI ΔiI + _ ΔuO Re rbe Rb ΔiB ΔiO Rs 三种接法的比较：空载情况下 接法 共射 共集 共基 Av 大 小于1 大 Ai β 1＋β α Ri 中 大 小 Ro 中 小 大 应用 频带最宽，带负载能力最差 带负载能力最强，输入阻抗高 功率增益最大，使用广泛 多级放大电路的小信号分析 ①电压放大倍数 两级放大电路的电压放大倍数 + _ ΔuI Ri1 RL + + _ _ ΔuO ΔuO1 ΔuOC1 Ro1 + _ Ri2 ΔuOC2 Ro2 + _ ΔuI2 第一级的电压放大倍数——第二级输入电阻作为第一级负载时的电压放大倍数 N级放大电路的电压放大倍数 第一级到第N-1级每级的电压放大倍数——后级输入电阻作为该级负载时的电压放大倍数 ②输入电阻 两级放大电路的输入电阻 + _ ΔuI Ri1 RL + + _ _ ΔuO ΔuO1 ΔuOC1 Ro1 + _ Ri2 ΔuOC2 Ro2 + _ ΔuI2 ΔiI 输入电阻可能与第二级输入电阻有关，进而与负载有关 N级放大电路的输入电阻 输入电阻可能与第二级直到第N级输入电阻有关，进而与负载有关 ③输出电阻 两级放大电路的输出电阻 输出电阻可能与第一级输出电阻有关，进而与信号源内阻有关 Ri1 + + _ _ ΔuO ΔuO1 Ro1 + _ Ri2 Ro2 + _ ΔuI2 ΔiO Rs N级放大电路的输出电阻 输出电阻可能与第N-1级直到第一级输出电阻有关，进而与信号源内阻有关 例3.2.1，阻容耦合晶体管共射共集放大电路中，β1=β2=150，rbe1=4kW，rbe2=2.2kW。求(1)静态工作点Q1，Q2；(2)电压放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro + _ ΔuI 5k 15k 12V + _ ΔuO C1 C2 5k 5k 2.3k Ce1 100k 5k C3 5k 15k 12V 5k 2.3k 100k 5k 5k 15k 12V 5k 2.3k 0.7V IB1 100k 0.7V IB