第2章_半导体二极管及其基本电路修订稿.ppt

2.1.1 本征半导体 1.本征半导体中的共价键结构 运载电荷的粒子称为载流子。半导体中有两种载流子： 自由电子和空穴。 2.2 PN结 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.3 PN结的伏安特性 2.2.4 PN结的反向击穿 2.2.5 PN结的电容效应 2.3 半导体二极管 2.3.1 二极管的常见结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的主要参数 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.2 二极管的伏安特性 1.正向特性（右图第①段） 门坎电压（开启电压或死区电压）： 硅二极管Vth=0.5V; 锗二极管Vth=0.1V 正向导通电压： 硅二极管VD=0.7V； 锗二极管VD=0.2V 2. 反向特性（右图第②段） 反向饱和电流IS 3. 反向击穿特性（右图第③段） 反向电压增加到一定值VBR时，反 向电流剧增，二极管反向击穿。 2.3.3 二极管的主要参数 1．直流参数 最大整流电流IF 最高反向工作电压VRM 反向电流