第8章 物理气相淀积解说.pptVIP

溅射方法(Cont.)-磁控溅射优缺点 优点 一般溅射淀积的缺点：淀积速率较低；工作气压较高，对薄膜产生污染。 磁控溅射为淀积速率比一般方法高一个数量级；工作气压低，薄膜质量好。 缺点： 不能实现强磁性材料的低温高速溅射，因为几乎所用的磁通量都是通过磁性靶的，所以在靶附近不能外加强磁场； 靶的利用率较低（约30%），这是由于靶的侵蚀不均匀造成的。 溅射方法(Cont.) 反应溅射：淀积化合物(如TiN)氧化物、碳化物、氮化物、硫化物等。 溅射方法 （Cont.) 偏压溅射 在衬底与靶材之间加偏压，以改变入射到衬底表面的带电粒子的数量和能量； 带电粒子对表面的轰击可以提高淀积原子在薄膜表面的扩散和参加化学反应的能力，提高薄膜的密度和成膜能力，抑制柱状晶生长和细化薄膜晶粒等；还可改善薄膜中的气体含量； 为改善溅射沉积形成的薄膜组织及性能的最常用的而且也是最有效的手段之一。 溅射方法 （Cont.) 长投准直溅射技术 靶与硅片之间的距离很长，等离子体在低压下产生，小角度射出的原子几乎无碰撞以直线轨迹到达硅片表面。 问题：反应室室壁污染，远离硅片中心的通孔台阶覆盖不对称，低压下获得等离子体难。 溅射方法 接触孔中薄膜的溅射淀积 （深宽比大于一）溅射原子离开靶面时遵守余弦分布，故溅射原子在衬底表面和接触孔上表面的拐角处，沉积速率最高，侧壁适中，底角最低。 可采用带准直器的溅射淀积方法（降低淀积速率，换准直器增加了成本） 混合溅射方法 溅射成膜方法总结： Advantages of Sputter Deposition:- more conformal than evaporative deposition (EvapD)- better thickness uniformity and compatible with- batch processing (vs. EvapD)- easier stoichiometry control than EvapD or CVD- can be done with almost any material (unlike CVD)- arriving atoms have higher energies+ higher effective surface diffusivity- creates subsurface defects- amenable to batch processing Disadvantages: -subsurface defects can be generated； - sputtering and impurity gases are more likely to be incorporated (must have very pure and/or gettered sputtering gas) Not good for epitaxial films, good for polycrystalline and amorphous films. Chap 8 物理气相淀积 真空蒸发法 溅射 物理气相淀积(PVD) 定义： 利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜 基本方法及发展： 蒸发：薄膜淀积技术发展的初阶段因有较高的淀积速率，相对高的真空度，以及由此导致较高的薄膜质量，故受重视。缺点：台阶覆盖能力差，淀积多元化合金薄膜时组分难以控制。 溅射：淀积多元化合金薄膜时组分易控制，高纯靶材、高纯气体和制备技术的发展，也使溅射法淀积薄膜的质量得到提高。故溅射法已基本取代真空蒸发法。 真空蒸发法制备薄膜的基本原理 蒸发：在真空系统中，加热蒸发源，使原子获得足够的能量后便可以脱离蒸发源表面的束缚成为蒸汽原子，入射到晶片上，凝结形成固态薄膜。 特点设备比较简单，操作容易，所制备的薄膜纯度高，厚度控制比较精确，成膜速率快，生长机理简单等。 缺点：形成的薄膜与衬底附着力较小，工艺重复性不够理想，台阶覆盖的能力差 真空蒸发法制备薄膜的基本原理 真空蒸法设备 （1）真空系统 （2）蒸发系统 （3）基板及加热系统 真空蒸法过程: 加热蒸发过程：对蒸气源进行加热，使其温度接近或达到蒸发材料的熔点，则固态源表面的原子容易逸出，转变为蒸气 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运过程：原子或分子在真空环境中，由源飞向硅片，飞行过程中可能与真空室内的残余气体分子发生碰撞，碰撞次数取决于真空度以及源到硅片之间的距离。 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积过程：飞到衬底表面的原子在表面上凝结、成核、生长和成膜过程。 蒸发概念介绍 汽化热：将蒸发源材料加热到足够高的温度，使其原子或分子获得足够的能量，克服固相的原子束缚而蒸发