第9章逻辑门电路解说.ppt

第 9 章 门电路 概述 2. 半导体二极管的开关特性 9.2 分立元件门电路 9.2.1 二极管与门 9.2.2 二极管或门 9.3 CMOS门电路 9.3.1 CMOS反相器 三、输入噪声容限 CMOS反相器的动态特性 2.交流噪声容限 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 带缓冲级的CMOS门电路 二、 漏极开路的门电路（OD门） 三、 CMOS传输门（TG） 利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如：异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。传输门的另一个用途是作模拟开关，用来传输连续变化的模拟电压信号。 CMOS电路的正确使用 CMOS数字集成电路的各种系列 3.5 TTL门电路 3.输入躁声容限 TTL反相器的动态特性 3. 电源的动态尖峰电流 三、 三态输出门电路（TS）门 下页 返回 一、 输入电路的静电防护 为防止静电电压造成的损坏，应注意以下几点： 1）在存储和运输CMOS器件时， 不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装， 最好采用金属屏蔽层作包装材料。 2）组装、调试时，应使电烙铁和其他工具、仪表、 工作台台面等良好接地。 操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。 上页 3）不用的输入端不应悬空。 下页 返回 (1) 高速 CMOS电路 由于在MOS管中存在着一些寄生电容， 因而降低了MOS管的开关速度。 为了减小这些寄生电容， 在高速MOS电路中从工艺上作了改进。 首先尽量减小沟道的长度，缩小整个MOS管的尺寸。 其次采用了硅栅自对准技术减小了栅极和漏极、 栅极和源极的重叠区，使CGD和CGS的数值减小。 上页 下页 返回 上页 用短沟道、硅栅自对准工艺生产的高速CMOS门电路， 其平均传输延迟时间小于10ns， 高速CMOS门电路的通用系列为54HC/74HC系列。 该系列产品使用+5V电源， 输出的高、低电平与TTL电路兼容。 54HC/74HC× × ×与54LS/74LS × × × ， 只要最后× × ×表示的数字相同， 则两种器件的逻辑功能、外形尺寸、 引脚排列顺序也完全相同。 但两种器件不能简单地互换使用。 TTL反相器 其他类型的TTL门电路 TTL门电路的改进系列 下页 总目录 设： 电源电压 VCC = 5V 输入高电平VIH = 3.4V 输入低电平VIL = 0.2V 开启电压 VON = 0.7V 1.电路结构 起保护作用反相器是TTL电路中电路结构最简单的一种。因电路输入端和输出端均为三极管结构，所以称做三极管-三极管逻辑电路，简称TTL电路。 下页 上页 返回 TTL反相器的典型电路 输入级 倒相级 输出级 9.4.1 TTL反相器 三个PN结 导通需2.1V 输入为低电平（ vI = VIL = 0.2V）时 0.9V 不足以让 T2、T5导通 0.2V vo高电平！ 工作原理: T4、D2导通 全导通 T2 T4 T5 D1 D R1 4K R2 R3 1K R4 130 D4 VCC A . T1 Y (Vi) 2. 输入为高电平（3.4V）时 电位被嵌 在2.1V 3.4V 反偏 饱和 uO=0.3V 截止 ?1V 1.6K 输入输出之间是反相关系，即 AB段:截止区，T2、T5截止，T4导通。 BC段：线性区，T2导通、T5截止。 CD段：转折区，T2、T5同时导通。 DE段:饱和区,vi继续升高时vo不再变化。 VTH称为阈值电压或门槛电压，约1.4V。 2. 电压传输特性 下页 上页 返回 O A B C D E 3.0 2.0 1.0 0.5 1.01.5 vO vI VI VO 下页 上页 定义：在保证输出高、低电平基本不变 （或者说变化的大小不超过允许限度）的条件下， 输入电平的允许波动范围， 称为输入噪声容限。 返回 下页 上页 74系列门电路的标准参数为 可得 返回 若RP较小，相当于输入一个低电平信号。 若RP较大，相当于输入一个高电平信号。 输入端负载特性 TTL反相器输入端负载特性 2.0 1.0 1.0 2.0 0 3.0 下页 上页 返回 VCC R1 be2 be5 vI T1 4kΩ RP TTL反相器输入端经电阻接地时的等效电路 下页 上页 返回 1. 传输延迟时间 在TTL 电路中，由于二极管和三极管从导通变为截止或从截止变为导通都需要一定的时间， 且有二极管、三极管以及电阻、连接线等的寄生电容存在， 所以把理想的矩形电压信号加到TTL反相器的输入端时， 输出电压的波形不仅要比输入信号滞后， 而且波形的上升沿和下降沿也将变坏。 把输出电压波形滞后于输入电压波形的时间， 做传输延迟时间。 通过实验方法测定传输延迟时间的数值。 下页 上页 输出由低电平突然转变