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4.3.5　集成 MOS 放大器 　　集成 MOS 放大器与分立 MOS 放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成 MOS 放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成 MOS 放大器类型： NMOS 放大器 CMOS 放大器 放大管 NEMOS 负载管 NEMOS 放大管 NEMOS 负载管 NDMOS E/EMOS 放大器 E/DMOS 放大器 放大管、负载管均为 E 型 但沟道互补 第 4 章　放大器基础 E/EMOS 放大器 VDD + - vo + vi T2 T1 - 要求两管工作在饱和区， 由于 gm2vgs2 = -gm2vo ， 则受控源 gm2vgs2 等效为电阻：1/gm2 因 gmu2vus2 = -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2 等效为电阻：1/gmu2 即　　　　　， 第 4 章　放大器基础 交流通路 + - vo + vi T2 T1 - g2 s2 g1 s1 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2vgs2 gmu2vus2 微变等效电路 电压增益： 其中 ?2 = 0.1 ~ 0.3 由于 MOS 管跨导 所以 (小于 10 倍) 第 4 章　放大器基础 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2 1 gmu2 1 简化等效电路 E/DMOS 放大器 要求两管工作在饱和区： 由于 vgs2= 0 ， 因此受控源 gm2vgs2 开路。 因 gmu2vus2= -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2 等效为电阻：1/gmu2 ， 即 VDD + - vo + vi T2 T1 - VDD 简化等效电路 (几十倍) 第 4 章　放大器基础 vo gm1vgs1 + - + - vi rds1 g1 s1 rds2 gmu2 1 CMOS 放大器 结构特点： 两增强型 MOS 管沟道互补，衬底彼此电隔离。 若 NMOS 管 S 极接最低电位 若 PMOS 管 S 极接最高电位 则 S 极可与 U 极直接相连 因此，CMOS 放大器不存在衬底效应。 N P P + P + N + N + 第 4 章　放大器基础 CMOS 共源放大器 要求两管工作在饱和区： VDD + - vo + vi T2 T1 - VGG 由 vgs2 = vus1 = vus2 = 0 ，画出简化等效电路。 则 由于 ， ，因此 (500 ~ 2 000倍) 第 4 章　放大器基础 vo gm1vgs1 + - + - vi rds1 g1 s1 rds2 分析电路性能时，必须考虑负载管衬底效应的影响 　(用背栅跨导表示)。 分析集成 MOS 放大器时，需注意以下问题： 分析过程中，压控电流源的控制电压与电流源两端 　电压相等时，压控电流源可用等效电阻置换。 无论是 CMOS 放大器还是 NMOS 放大器，只要采用 　场效应管作有源电阻，则其电流流向必须与放大管 　电流流向一致。 分析得知：共源 CMOS 放大器的 Av E/DMOS 的 　Av E/EMOS 的 Av。 第 4 章　放大器基础 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 频率特性的三个频段 中频段：通频带以内的区域。 放大器的增益、相角均为常数，不随 f 变化。 特点： 原因： 所有电抗影响均可忽略不计。 高频段： f fH 的区域。 频率增大，增益减小并产生附加相移。 特点： 原因： 极间电容容抗? ? 分流? ? 不能视为开路。 即极间电容开路、耦合旁路电容短路。 低频段： f fL 的区域。 频率减小，增益降低并产生附加相移。 特点： 原因： 耦、旁电容容抗? ? 分压? ? 不能视为短路。 第 4 章　放大器基础 幅度失真与相位失真 实际输入信号含有众多频率分量，当通过放大器时： 若不同频率信号呈现不同增益 幅度失真 相位失真 幅度失真与相位失真统称放大器的频率失真。 若不同频率信号呈现不同相角 由于频率失真由线性电抗元件引起，故称线性失真。 注意：线性失真不产生新的频率成分。 一般音频放大器的频率失真主要指幅度失真。 视频放大器的频率失真则包括幅度失真与相位失真。 第 4 章