7.2_霍尔传感器概论.pptVIP

7.2 霍尔传感器 1 霍尔传感器工作原理 2 霍尔元件的结构和基本电路 3 霍尔元件的主要特性参数 4 霍尔元件误差及补偿 5 霍尔式传感器的应用 1 霍尔传感器工作原理 霍尔式传感器是基于霍尔效应工作的，广泛应用于电磁、位移、压力和速度等方面的测量。 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上垂直于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件 2 霍尔元件的结构和基本电路 图（a）中，从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上，引出两对电极，其中沿长度方向上的1-1电极用于加控制电流，称控制电极或激励电极。另一对2-2电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出极。 图（b）是霍尔元件通用的图形符号。 图（c）所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的长度。 图（d）是基本测量电路 。 3 霍尔元件的主要特性参数 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 (2) 不等位电势Uo和不等位电阻ro 不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。 不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的， r 0称不等位电阻 2. 温度误差及其补偿 温度误差产生原因： 霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。 减小霍尔元件的温度误差 选用温度系数小的元件 采用恒温措施 采用恒流源供电 恒流源温度补偿 大多数霍尔元件的温度系数α是正值时，它们的霍尔电势随温度的升高而增加（1+α△t）倍。 同时，让控制电流I相应地减小，能保持KHI不变就抵消了灵敏系数值增加的影响。 恒流源温度补偿电路 5 霍尔式传感器的应用 优点: 结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性好和寿命长 应用： 电磁测量：测量恒定的或交变的磁感应强度、相位、电流、功率、电能等参数； 自动检测系统：多用于位移、压力、速度的测量。 1. 微位移和压力的测量 测量原理： 霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来反映霍尔元件的位置。 应用： 位移测量、力、压力、应变、机械振动、速度 霍尔式压力传感器 加速度传感器 2. 磁场的测量 在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度成正比，由于霍尔元件的结构特点，它特别适用于微小气隙中的磁感应强度、高梯度磁场参数的测量。 上一页 下一页 返 回 转速测量 永磁体安装在轴端 永磁体安装在轴侧 霍尔电势是磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角的函数。 应用：霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器 上一页 返 回 * * 霍耳效应 Hall effect 运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起偏转就是霍耳效应的实质。 如图１所示: 洛伦兹力的方向： 用左手定则判定 注意：左手定则中四指方向应与正电荷的移动方向相同，与负电荷的运动方向相反。 左手定则：伸开左手，使大拇指跟其余四指垂直，且处于同一平面内，把手放于磁场中，让磁感线垂直穿入手心，四指指向 正电荷运动方向，那么，拇指所指的方向就是正电荷所受洛伦玆力的方向。 霍尔效应 —— 霍尔元件灵敏度 —— 霍尔电势 1、定义 霍尔：1879年 半导体 2、霍尔电势的产生 N型半导体： 洛仑兹力 电场力 动态平衡 P型： 令 电流 霍尔系数 霍尔系数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，灵敏度小，霍尔电势也小，所以金属材料不宜制作霍尔元件 霍尔电势及灵敏度系数与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 控制电流 I 可由电源UC输出，由于 UC=E*l, 电子移动速度 v=u*E 代入 可得 半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件，材料：锗、硅、砷化镓