第九章 MEMS封装课题.ppt

又称静电键合，这种技术将玻璃与金属或硅等半导体键合起来，不用任何粘合剂，键合界面气密性和稳定性很好。一般的键合条件：硅片接阳极，玻璃接阴极，温度为300-4000C，偏压500-1000V。 要形成良好的键合，硅片和玻璃的表面粗糙度要尽可能小，表面颗粒尽可能少，并且两种圆片的材料热膨胀系数相近，硅片上氧化层需要小于0.2μm。 这种技术可以在真空下进行，是当前比较流行的一种封装方式。 (2)阳极键合(anodic bonding) 中间层辅助键合是近年来研究的一个热点，它基本上不依赖于衬底的材料，可以方便的实现不同材料圆片的粘接。按中间层使用的材料不同，可以分为以下三种： 1)共晶键合 其代表为金硅键合，它利用金硅共晶点低的特点，以金作为中间层实现圆片间的键合，具有较好的气密性和强度。金硅合金的共晶点为3630C，此时硅与金的原子个数比约为20%：80%。 要形成良好的键合，一方面必须尽量减小硅片表面氧化层的厚度，另一方面还需要调整金的厚度，优化键合参数，提高工艺的重复性，避免在界面形成金硅化合物颗粒 (3)中间层辅助键合(intermediate layer bonding) 2)不导电材料键合 中间层可以是苯丙环丁稀(BCB)、聚酰亚胺(polyimide)、SU-8胶、甚至AZ系列厚胶。优点是温度低，与MEMS和CMOS工艺完全兼容，成本低，不需要复杂的设备，实现简单；缺点是无法提供气密性封装，键合的稳定性一般，并且给封装后的各步工艺带来了很多限制。 3)焊接键合 这种方法使用合适的合金焊料作为中间层，焊料在共晶熔点熔融并回流，同时在表面张力作用下形成自对准，经过迅速冷却后完成键合。 合金焊料不仅具有优良的气密性，而且还具有很低的电阻率，可以形成良好的电学互连；合金焊料材料选择多，与CMOS电路兼容。但是这种方法用于MEMS封装尚未成熟，其工艺窗口比较小，组分不容易控制。 10.4 MEMS器件级封装技术 MEMS器件级封装技术沿用了IC一级封装的部分工艺，大致也可分划分为划片、贴片、互连、保护等几个步骤，如下图所示，下面将分别介绍： MEMS器件级封装基本步骤 划片是器件封装的第一个步骤，它将圆片分离成单个芯片，在切割之前，要将圆片安放在外形框架上。 通常圆片放置在聚酯薄膜上，圆片与薄膜之间用粘接剂进行粘合，保证硅片在划片过程中保持在薄膜上，同时其粘接剂强度也不能太高，保证在后续的拾取操作中可以容易地进行分离。对于具有可动结构的MEMS器件，这一点尤为重要。 1.划片 拾取和贴片通常是利用可编程的精密机械，用机械手臂拾取芯片，将其移动到基板或框架上的一个定点，以正确的方式贴放于正确的位置。 贴片的关键因素是正确地拾取组件、定位的精度和重复性，贴片的力度、停留的时间和生产量。 拾取元件一般是采用真空负压的吸嘴吸住元件，割离的芯片被取出，转正面向上并贴在基板上。 2.拾取和贴片 MEMS芯片支撑结构的材料和形式多种多样，MEMS芯片可以安装在金属引线框架、陶瓷底座、硅基或者其他类型的材料制作的管座上。 引线框架作为芯片的载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电气引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构构件，同时引线框架也起到一定的安装固定机械的作用，是芯片封装的一种主要结构材料。 大部分的半导体IC中采用引线框架方式，很多MEMS芯片也安装在引线框架上。 3.引线框架 MEMS器件与封装结合沿用了IC芯片裸片与封装结合的技术，为MEMS微结构在封装基座上提供高质量的机械粘接，确保MEMS芯片不会在封装基座上产生相对移动，同时还能够忍耐高温、低温、潮湿、冲击和振动等恶劣环境条件。 粘接材料的选择不仅要考虑到MEMS芯片与封装基座间的热膨胀系数匹配问题，另一个需要考虑的因素是粘接材料对MEMS器件某些基本参数的影响。 4.芯片粘合 目前，常见的MEMS一级互连技术有:引线键合、倒装焊、载带自动焊和高密度互连技术。 5.互连 6.密封和钝化 密封是MEMS器件封装中需要重点考虑的对象；一些不用接触到外界环境而进行参量的传感器就应当考虑所有结构完全密封；另一些需要与外界有接触的传感器就更要具有良好的封装，既能保护内部结构，又要使得与外界接触的探头能很好的工作，就必须对器件进行钝化。 对于MEMS封装，不同的器件需要不同的开口的外壳用来传递光、热、力等物理信息，使得MEMS封装可靠性与封装管壳使用的材料有关。 从管壳采用的封装材料分类，MEMS的封装也可以分为陶瓷封装、塑料封装和金属封装三类。 7.管壳 *