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第1章 STM32F10X系统介绍 课程教学的主要内容(总计24学时): 第1章 STM32F10X系统介绍 第2章 存储器与总线架构 第3章 电源控制(PWR) 第4章 复位与时钟 第5章 通用和复用IO功能 第6章 中断和事件 第7章 DMA控制器 第10章 通用定时器TIMx 第11章 控制器局域网(bxCAN) 第13章 串行外设接口(SPI) 实验主要内容(总计8学时): 实验一、GPIO与中断实验 实验二、USART接口实验 实验三、AD转换器实验 实验四、综合应用实验 自学内容: 第14章 USART收发器(完成实验二) 第15章 模拟数字转换器ADC(完成实验三) 课程要求: 作业和实验报告均采用电子版。 实验报告的命名: 三_GPIO与中断实验报告 发到下列邮箱:jshli@m.bjtu.edu.cn 总评成绩的比例: 作业占20%,实验占20%,考勤占10%,期末考试占50%。 1、ARM和Cortex-M3处理器概述ARM内核遵循相同的设计理念,使用相似的指令集构架,并构成了处理器系列。 (1)ARM7系列1995年推出,内核采用冯.诺伊曼体系结构(数据和指令使用同一总线),有一条3级流水线,执行ARMv4指令集。 一、嵌入式CPU内核简介 (2)ARM9系列1997年问世,存储器系统根据哈佛体系结构重新设计,区分了数据D和指令I总线。采用5级流水线,比ARM7具有更高的时钟频率。 (3)ARM10系列发布于1999年,主要是针对高性能的设计。它有六级流水线,支持可选的向量浮点单元(VFP)它对ARM10的流水线加入了第7段。 (4)ARM11系列ARM1136J-S发布于2003年,是针对高性能和高能效应用而设计。它是第一个执行ARMv6架构指令的处理器。 (5)ARM Cortex系列发布于2005年,为各种不同性能需求的应用提供了一整套完整的优化解决方案。目前定义了以下系列:Cortex-A、Cortex-R、Cortex-M等系列。 2、Cortex-M3处理器 (1) Cortex-M3处理器的特点 小的处理器内核、系统和存储器。 完整的电压管理,很低的功耗。 突出的处理性能,可满足挑战性的应用需求。 快速的中断处理,满足高速、临界控制应用。 可选的存储器保护单元(MPU),提供平台级安全性。 增强的系统调试功能,可加快开发进程。 没有汇编代码的要求,简化了系统开发。 宽广的适用范围,从超低成本到高性能的SoC (2) Cortex-M3处理器组件 处理器内核。 与处理器核紧密结合的嵌套向量中断控制器(NVIC),以实现低延迟的中断处理。 存储保护单元(MPU),可选部件MPU实现存储器保护。 总线接口。 调试接口。 (3) Cortex-M3内核 ARMv7-M Thumb-2指令集架构(ISA)的子集。 哈佛处理器结构,三级流水线。 单周期32位乘法,硬件除法。 Thumb和Debug状态;Handler和Thread模式。 处理器状态自动保存和恢复。 可打断-继续LDM/STM,PUSH/POP。 支持ARMv6的BE8/LE(大小端)。 ARMv6不对齐访问。 (4) 嵌入中断向量控制器(NVIC)Cortex-M3紧密结合一个可配置的中断控制器(NVIC),主要有以下特点: 可配置1-240个外部中断。 可配置优先级位数3-8位。 支持电平和边沿中断。 可以动态重新分配中断优先级。 优先级分组。 支持尾链中断。 进入中断时,处理器状态自动保存,退出自动恢复。 1、STM32F10X的内核 ARM32位的Cortex?-M3 CPU 最高频率72MHz 单周期硬件乘法和除法——加快计算 2、存储器 片上集成32K-128K字节Flash程序存储器 6K-20K字节SRAM存储器 多重自举功能 二、STM32F10X系统构成 3、时钟、复位和供电管理 2.0至3.6伏供电和I/O管脚的驱动电压 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD) 内嵌4至16MHz高速晶体振荡器 内嵌经出厂调校的8MHz的RC振荡器 内嵌40kHz的RC振荡器 内嵌PLL供应CPU时钟 内嵌使用外部32kHz晶体的RTC振荡器 4、低功耗 3种省电模式:睡眠、停机和待机模式 VBAT为RTC和后备寄存器供电 5、STM32F10X的一些外围构成 2个12位模数转换器,1us转换时间(16通道) 转换范围是0至3.6V,双采样和保持功能,温度传感器。 7通道DMA控制器 多达80个快速I/O口,26/36/51/80个多功能双向5V兼容的I/O口,所有I/O口可以映像到16个外部中断 6、多达11个定时
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