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第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--漏电流的功率 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--非均匀性 若MOSFET栅长50nm,栅宽100nm，如果沟道载流子数目为2＊1012/cm2,沟道中平均有100个电子。 如果存在单个杂质涨落，引起沟道电导变化为实际电导的40％。 这是非常显著的涨落。 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--介质厚度 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--精度和价格 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--从业要求 经典电子学的困难和问题涉及范围很广，需要综合考虑各方面因素。要解决这些问题，需要： ?采用新材料和新结构 –高k介质、应变硅沟道、金属栅 –铜互连、低k介质 –双栅、环栅结构 ?充满创新机遇、知识基础转变 –需要更多的量子力学知识(量子化、隧穿) –需要介观物理的知识（弹道、噪声） –需要更强的计算、模拟、仿真能力 –更先进的检测方法和技术 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--是否有极限？ ?信息技术的需求推动发展更小的器件 ?面对集成电路不断发展，必须要考虑这样的问题： -传统器件的工作原理是否可以外推到更小空间和时 间尺度的器件？ -量子效应或技术障碍是否阻止目前工作原理的器件尺度进一步下降？ 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--极限预测 ?Silicon 2016: –22 nm gate lengths, –28 GHz clocks, –310 sq.mm die ?Roadblocks: –Smaller devices won’t work –Significant changes in key design ratios Peter M. Kogge，McCourtneyProf. of CS Engr, Assoc. Dean for Research, University of Notre Dame，IBM Fellow (ret) Michael T. Niemier，Univ. of Notre Dame, (soon to be Georgia Tech) 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米 电子学— --极限预测 第一章 绪论 1.1 引言 经典纳米电子学--习题与问题 1.MOS器件进入纳米尺度会遇到哪些物理问题？ 2.MOS器件进入纳米尺度会遇到哪些技术上的困难？ 3.就一项困难提出解决方案。 Thank you！ * * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989） * J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I.