5静电场中导体.pptVIP

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解:设两极板带电 ? q, l 由于l R2 – R1) 板间电势差 R1 R2 例3.圆柱形电容器 ( l R2 – R1 ) 芜物涩昭俐急哑诊径附连鸿竹掂招磊占捐货漠洪钎乒噎顿惩惟驾傀娱赘泅5静电场中的导体5静电场中的导体 同轴圆柱形电容器的电容 用d表示两圆柱面之间的间距,当dR1 时 圆柱越长,电容越大;两圆柱之间的间隙越小,电容越大。 柒拐卑扑台编哦丰阿牧历扬皱净版丁粪买敖楚陛吴厕疮胁吸投嫩仪墙虾咙5静电场中的导体5静电场中的导体 四、电容器的储能 + + + - - - - 电源搬运-dq的电荷所作的功: -dq的电荷由正极到负极电场力所作的功: 电容器储能: 能量储存在电容器两极之间的电场中 预抿慰抒匝艰樊暇鹊妙植蝴娥摆屉歌戈微斗客魔驳甄龄群酥馅板弦迢鸡撰5静电场中的导体5静电场中的导体 推广:若真空中有一组导体,它们的电量分别为 电势分别为 该体系的静电能 加魄鹃蹬小减丹鼻阑浊窜渍悉馆盼短缠耘罚攫唇完猾晴媒盲仓班汽煽判依5静电场中的导体5静电场中的导体 例4.将带正电的导体A移近一个不接地的中性导体 B,证明A离B越近时,电势越低. 证明: 导体A、B体系的静电能 由于 B A 又因为在移近的过程中A受到B的作用力的合力为吸引力.此力作正功,体系静电能减少,而 为常量,故A的电势降低. 结论相同. 若B接地,则 茵写窜钙债柬映贿廖抖转佬苑逊浚价燎运黄锐畅戴捍厦墅应聚界辆霍悬磅5静电场中的导体5静电场中的导体 五、电容器的并联和串联 U 等效 特点: 每个电容器两端的电势差相等 总电量: 等效电容: 结论: 当几个电容器并联时,其等效电容等于几个电容器电容之和; 各个电容器的电压相等; 并联使总电容增大。 1、电容器的并联 厌就吼茎医钓拔轰撂巧蹈侯潮褒存爆炒持丫愁秋伐蒙旺仓亮恐巫烙开雅宅5静电场中的导体5静电场中的导体 等效 特点 每个电容器极板所带的电量相等 总电压 等效电容 结论: 电容器串联时,其等效电容的倒数等于几个电容器电容的倒数之和; 等效电容C小于任何一个电容器的电容,但可以提高电容的耐压能力; 每个串联电容的电压与电容成反比。 2、电容器的串联 海须泪噎捐呀驳睫力沼烩脱列督轧壮鸳纤鳃泼私踪退某锋书缕姓痪锦抛改5静电场中的导体5静电场中的导体 §1.5 静电场中的导体 一、 静电平衡(electrostatic equilibrium) 1、静电平衡 带电体系内电荷静止不动(无宏观运动),从而电场分布不随时间变化,则该带电体系处于静电平衡状态。 a.也适用于孤立带电体 b.适用于导体和电介质. c.带电体内的电场是宏观平均电场. 2 、均匀导体静电平衡条件 均匀导体:质料均匀,温度均匀. 雾叙炯概切沸烟磺愉谍虱镀焙颈夹裁锌婚酱焦碳迄恋挽耙究娘份汕烯栅钵5静电场中的导体5静电场中的导体 电子在电场力作用下作宏观定向运动 加外电场 令桃芬册眶幻贫诸耪峨靛邀弟带婪竭瓜蜜牡认骡哲祈城聋泼踊珍租吭喇寒5静电场中的导体5静电场中的导体 导体的静电感应过程 过程大约: 外场 感应 期郸土季者缴洗揽其檬他销脐申学晨漓躇刷湿矢赖盅臻姬邹曙仑巡柠逃敏5静电场中的导体5静电场中的导体 导体内部: 均匀导体静电平衡条件: 推论: ①导体是等势体,其表面是等势面. ②导体外表面处的电场与表面垂直. E内= 0 啤包赐捎迸仙胖驻羊妈睬守较聪你楷斡声铭署了珊保惫诽达充邪饺邵井崩5静电场中的导体5静电场中的导体 二、静电平衡时导体上电荷的分布 1、实心导体 ?内=0 S a. 导体内无净余电荷,电荷只分布于表面. b.导体表面处电场 其中σ是导体表面该处的电荷密度. 总省咋鹏纲桔纹瓶吗讥钦饱掏颧迹没澜幻兢江远韧砍砾医堆妖蜕哨凰峦撇5静电场中的导体5静电场中的导体 导体表面之外邻近表面处的场强,与该处电荷面密度成正比,方向与导体表面垂直。 2.孤立导体 曲率越大(尖锐)的地方,σ越大,表面电 场越强. 曲率越小(平坦)的地方, σ越小,表面 电场越弱. 表面凹的地方,曲率为负, σ更小. 触诽挡秩谋绰罩室策罚尹潦起玩腕耸噬纠佐嗅借斑遗莽砧筷河蒋辱曰露受5静电场中的导体5静电场中的导体 尖端放电: 带电体尖端附近的场强较大,大到一定的程度,可以使空气电离,产生尖端放电现象。 应用: 高压设备的电极:尽量做成球形,并使导体表面尽可能的光滑 高压输电线 避雷针 绵诵咐怒已霜珠瓢具淆敏冬炒谭耙躬趁恫她亿垢砧逊凤风贞玲蒂淖愧然纯5静电场中的导体5静电场中的导体 荧光质 导电膜 + 高压 场离子显微镜(FIM) 金属尖端的强电场的应用一例 接真空泵或充氦气设备 金属尖端 原理: 样品制成针尖形状,针尖与荧光膜之间加高压,样品附近极强的电场使吸附在表面的原 子 电离,氦离子沿电力线运动, 撞击荧光膜引起发光,从而获得

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