半导体总复习讲述.ppt

SHARED COMMITMENT. SHARED RESOURCES. ONE SOLUTION. 《半导体物理》总复习 第一章 半导体中的电子状态 掌握共有化运动的概念 掌握空穴的定义与物理意义 掌握本征半导体和本征激发的意义 掌握回旋共振的实验原理和结论 掌握Si、Ge、GaAs的能带结构 掌握主要半导体材料的应用 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 掌握半导体中杂质的不同情况 施主杂质、受主杂质（施主作用受主作用） 两性杂质（举例说明） 深能级（举例说明）、浅能级 等电子陷阱 理解“杂质补偿”的意义 第三章 半导体中载流子的统计分布 利用“电中性方程”计算载流子浓度、EF的位置 掌握非简并和简并的判定条件 掌握强电离区、过渡区、高温本征区三个区间的判定 掺入两种以上杂质后的电中性方程 理解“低温载流子冻析效应” 理解“重掺杂时禁带变窄效应” 理解“多子浓度以及EF与温度的关系” 理解“本征载流子浓度与极限工作温度的关系” 第四章 半导体的导电性 定性分析“电导率（电阻率）”对温度的依赖关系 电导率的基本公式 迁移率(散射的机制) 平均漂移速度、平均自由程、平均自由时间 电导有效质量 掌握GaAs的“微分负阻现象” 第五章 非平衡载流子 “连续性方程”及求解 非平衡载流子浓度（准费米能级） 非平衡载流子的复合与寿命 小注入 直接复合、间接复合、陷阱效应 扩散长度 理解漂移和扩散 非简并半导体满足“爱因斯坦关系式” 探针注入pk平面注入 第六章 pn结 理解“pn结的形成” 势垒高度、空间电荷区宽度的变化（公式） 掌握pn结的基本电学性质 掌握理想模型假设与实际偏离 掌握三种情况下的pn结能带图和载流子分布图 掌握正偏下pn结的电流分布图 掌握电流电压方程 理解“势垒电容和扩散电容”，能计算突变结的势垒电容 了解三种击穿 分值分布 第一章：15分 第二章：10分 第三章：20分 第四章：15分 第五章：20分 第六章：20分 题型 选择（12分） 填空（26分） 简答或作图（32分） 计算或证明（30分） SHARED COMMITMENT. SHARED RESOURCES. ONE SOLUTION.