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5．1．2 主存储器的技术指标 (1) 存储容量 存储容量 = 单元数 ×数据线位数(bit) 例:6264 SRAM的容量为 (8K × 8bit) 41257 DRAM的容量为 (256K × 1bit) 2114 DRAM的容量是 (1K × 4bit) (2) 速度(存储器访问时间) 低速在300 ns以上 , 中速在100 ns ~ 200 ns之间, 超高速小于20 ns。 6116 RAM存储时间120 ns，2764 EPROM是200 ns 2817 EEPROM是200 ns CPU 4T 大于 存储器存储时间 以上是两个重要指标 5．1 ．3 随机读写存储器 常用的RAM按半导体材料分有双极型（TTL）半导体存储器和金属氧化物（MOS）半导体存储器两种。 根据存储信息机构的原理不同，又分为静态MOS存储器（SRAM）和动态MOS存储器（DRAM）。 半导体存储器的主要优点是存取速度快，存储体积小，可靠性高，价格低廉； 主要缺点是断电时读写存储器不能保存信息． 5．1．4 SRAM存储器  SRAM存储器的组成，包括存储体、地址译码器、驱动器、I/O电路、片选与读／写控制电路、输出驱动电路。 SRAM存储器的组成 示例 5．1．5 DRAM存储器 SRAM的外围电路简单，速度快，但其使用的器件多，集成度不高。DRAM则可大幅度提高集成度。单管DRAM的结构： 芯片结构 芯片结构（2） DRAM的控制电路见图，主要包括刷新计数器、刷新／访存裁决、刷新控制逻辑等。 DRAM控制器的组成：地址多路开关、刷新定时器、刷新地址计数器、仲裁电路、定时发生器。 DRAM的刷新方式：集中式、分散式、异步式、透明式。 5 ．1 ．6 只读存储器 ROM的工作方式：给定一个地址码，得到事先存入的确定数据。 ROM的优点：具有不易失性，即是电源被切断，ROM的信息也不会丢失。而使用SRAM进行存储，需要有电池等设备。 ROM的分类 掩模式只读存储器：优点：可靠性高，集成度高，价格便宜。缺点：不能重写。 一次编程只读存储器：分为PN结击穿型和熔丝烧断型两种。 第一种写入原理属于结破坏型，即在行列线交点处制作一对彼此反向的二级管，它们由于反向而不能导通，称为0。若该位需要写入1，则在相应行列线之间加较高电压，将反偏的一只二极管永久性击穿，留下正向可导通的一只二极管，称为写入1。显然这是不可逆转的。 更常用的一种写入原理属于熔丝型，制造时在行列交点处连接一段熔丝，即易熔材料称为存入0。若该位需写入1，则让它通过较大电流，使熔丝熔断。显然这也是不可逆转的。 多次编程只读存储器：分为EPROM、EEPROM 5．2 主存储器组织 一． 位扩展法、字扩展法 二、CPU与存储器的连结 1.存储器的基本结构(一片) 2.地址线的连结(地址线数目取决于芯片的容量) 3.数据线的连结(数据线的数目取决于芯片的位数 4.控制信号的连结(读.写.片选) ROM只连RD,RAM连RD和WE,(最小方式读写信号由 CPU产生,最大方式由8288产生),片选信号由译码电路 产生。 5.CPU与存储器连结注意的问题 (1) CPU总线的负载能力 (2) CPU的时序与存储器存取速度的配合 (3) 译码电路设计 (4) 位扩展,字扩展,位字扩展 5 ．2 ．1 存储器的层次结构 结构 5．2．2 Cache基本原理 主存与Cache的地址映射 由于Cache比主存小的多，因此必须使用一种机制将主存地址定位到Cache中，即地址映射。这个映射过程全部由硬件实现，对程序员透明。 映射的三种方式： 全相联：灵活，不易产生冲突。其缺点是比较电路难于实现，且效率低，速度慢。 直接映射：硬件简单，成本低，但容易产生冲突，不能有效利用Cache空间。 组相联：结合上面两种的优点。 CACHE的基本运行原理 直接映射方式 全相联方式