兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构研究年度报告.docVIP

兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构研究年度报告 　　摘 要：含边缘元素的III-V族光电子合金材料是近些年逐渐兴起的一种新型材料系，开展相关研究的国家较少，这些合金的基本特性、合成以及器件应用等方面还存在很多未知，亟需推动。为此，该研究在含边缘元素的III-V族光电子材料的理论计算、合成实验与特性表征方面系统地开展基础创新研究。在理论研究方面，我们利用第一性原理重点计算了GaN1-xBix和InP1-xBix三元合金的电子结构与光学特性等，预测了Bi元素并入对合金物理性质的影响。在III-V族含硼材料的合成与特性表征方面，利用低压金属有机化学气相沉积技术，在GaAs上生长出了BGaAsB四元合金与BGaAsSb/GaAs MQW，明确了B并入对于Sb并入以及GaAsSb/GaAs MQW光致发光特性的影响。基于InAs/GaSb二类超晶格实现短波、甚长波及窄带长波/甚长波双色红外探测器的研究，生长的材料具有极高的材料质量.短波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为2.56 μm，峰值探测率为1.3×1011 cm?Hz1/2?W-1；中波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为4.3 μm，峰值探测率为2.4×1011 cm?Hz1/2?W-1；甚长波红外探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为14.5 μm，量子效率为14%，热噪声限制的探测率为