第14章二极管和晶体管44728.pptVIP

课程简介 课程性质与特点 电子技术是一门专业基础课。是自动化、电气、电子、计算机与机电工程等专业的重要核心课程； 是一门内容多，理论性与实践性都很强的课程。 课程主要内容： 基本半导体器件(二极管、三极管、场效应管等)； 放大电路基础； 集成运算放大电路； 反馈放大电路； 直流稳压电源； 电力电技术； 门电路和组合逻辑电路； 时序逻辑电路。 学习目的 基本目的与要求： 了解和掌握半导体基本器件的原理、特性及其选用； 了解和掌握基本单元电路的组成、工作原理及其重要性能指标的估算； 了解和掌握常用模拟集成器件的外特性及应用 三个基本能力的培养 对常用的电子仪器、设备基本具务初步的读图分析能力； 初步的设计能力。 电子设备检修与维护能力； 学习方法与要求 课前预习、课后复习； 广泛阅读：多阅读电子相关书籍、杂志、网页等； 实践：分析、设计、修理、小制作电子产品。参考书目 模拟电子技术基础 . 童诗白等 ，电子工业出版社;模拟电子技术基础，杨拴科，机械工业出版社 《电子世界》《无线电》 无线电爱好网-- 电子爱好者网--www.eT 考核方式 考核方式：闭卷考试（70%）+平时成绩（30%） 平时成绩：上课考勤（点名）+回答问题+作业14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 例1： 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。 1. 理想模型 4. 小信号模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 三、二极管的等效电路 vD O iD iD + – vD 正偏时，管子导通正向压降为0； 反偏时，管子截止，电流为0； 1. 理想模型 伏安特性。 2. 恒压降模型 vD O iD (a) iD (b) + – vD 正偏时，正向压降为0.7V(硅) ，(锗约为0.2V)称为导通电压，一般在电流大于等于1mA时比较正确； 反偏时，电流为0。 3. 折线模型 vD O iD (a) 其中，Vth为门坎电压，硅约0.5V，锗约0.1V ? rD的确定。 当iD =1mA，管压降为0.7V。 iD (b) + – vD Vth rD 0.7 = Vth +1·rD= 0.5 + rD rD = 0.2K ?将V-I特性用折线来近似，导通时，有： 4. 交流小信号模型 当二极管在特性曲线某点Q附近工作时，这时可用Q点的切线来近似V-I特性，切线的斜率的倒数为小信号的微变电阻， 即 图2－14 vD O Q VD ?vD ?iD ID iD 称为静态工作点 几个概念： 直流通路； 交流通路； 静态与动态。 微变等效电路 动态等效 Q越高，rd越小。当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 二极管的单向导电性1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负，二极管截止若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 电路如图，求：UABV阳 =－6 V ， V阴 =－12 VV阳 V阴 ，二极管导通 若忽略管压