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集成电路分析与设计 第八章 模拟CMOS集成电路设计基础 本章概要 概述 MOSFET结构 MOSFET的I-V特性 MOSFET二级效应 MOS器件小信号模型 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.1概述 8.2 MOSFET结构 8.2 MOSFET结构 8.2 MOSFET结构 8.2 MOSFET结构 8.2 MOSFET结构 8.2 MOSFET结构 8.3 MOSFET的I-V特性 8.3 MOSFET的I-V特性 8.3 MOSFET的I-V特性 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 8.5 MOS器件模型 沟道调制效应-2 8.4 MOSFET二级效应 3 2 1 跨导gm 上式中: 3 2 1 跨导gm 亚阈值导电性 8.4 MOSFET二级效应 亚阈值导电：当VGS下降到VGS ≈VTH时，一个“弱” 的反型层仍然存在，并有一些源漏电流。甚至当VGS ＜VTH ，ID也并非是无限小，而是与VGS呈现指数关系，这种效应称作“亚阈值导电”。 ζ1,是一个非理想因子 MOS器件版图 MOS器件电容 源和漏的结电容 对于图a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 对于图b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)CjswCSB=2((W/2)ECj+4((W/2)+E)Cjsw= WECj +2(W+2E)Cjsw 栅源和栅漏电容 C3=C4=COVW Cov：每单位宽度的交叠电容 MOS管关断时: CGD=CGS=CovW, CGB=C1//C2 MOS管深线性区时: CGD=CGS=C1/2+CovW, CGB=0, C2被沟道屏蔽 MOS管饱和时: CGS= 2C1/3+CovW ,CGD=CovW, CGB=0, C2被沟道屏蔽 C1=WLCox MOS小信号模型 * * 自然界信号的处理 （a）自然界信号的数字化 （ b）增加放大器和滤波器以提高灵敏度 数字通信 失真信号需放大、滤波和数字化后才再处理 数字信号通过有损电缆的衰减和失真 磁盘驱动电子学 硬盘存储和读出后的数据 无线接收机 无线接收天线接收到的信号(幅度只有几微伏)和噪声频谱 接收机放大低电平信号时必须具有极小噪声、工作在高频并能抑制大的有害成分 光纤系统 光纤系统 激光二极管 光敏二极管 转换为一个小电流 高速电流处理器 传感器 (a) 简单的加速度表 (b) 差动加速度表 汽车触发气囊的加速度检测原理图 模拟电路设计的困难-1 模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷。 模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多。 器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电路要严重得多。 高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合布局的。 模拟电路设计的困难-2 模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果。 现代集成电路制造的主流技术是为数字电路开发的，它不易被模拟电路设计所利用，为了设计高性能的模拟电路，需不停开发新的电路和结构。 研究模拟CMOS集成电路的重要性CMOS电路因其低成本、低功耗以及速度不断的提高已成为当今SOC设计的主流制造技术。由于模拟电路是SOC中不可缺少的部分，故高性能模拟CMOS电路的设计已成为当今的难点和热点。 器件结构 衬低（bulk、body） Ldrawn：沟道总长度 LD：横向扩散长度 Leff：沟道有效长度， Leff＝ Ldrawn－2 LD *D、S是对称的，可互换！ *所有pn结必须反偏！ 同一衬底的MOS管 *N-SUB接VDD！ *P-SUB接VSS！ *阱中MOSFET衬底常接源极S MOS管所有pn结必须反偏: MOS管符号 MOS器件阈值电压 (a)栅压控制的MOSFET(b)耗尽区的形成 (c)反型的开始(d)反型层的形成 导电沟道的形成 耗尽层 NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 沟道夹断 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 I-V特性推导-1 I-V特性推导-2 Qd：沟道电荷密度 Cox：单位面积栅电容 WCox：MOSFET单位长度的总电容 Qd(x)：沿沟道点x处的电荷密度 V(x)：沟道x点处的电势 V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS I-V特性推导-3 8.3 MOSFET的I-V特性 对于半导体： (ID为常数) I-V特性推导-4 8.3 MOSFET的I-V特性 三极管区