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5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在放大区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 假设工作在放大区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例5.2.1： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 放大区 需要验证是否满足 × × 例5.2.2： 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时： vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （放大区） 例5.2.3： × × N沟道增强MOS管直流电路计算步骤: ①设MOS管工作于放大区内，则有: ②利用放大区的电流方程和电路去分析。 ④如果初始假设被证明是错误的，则必须作出新的 假设，同时重新分析电路。 ③如果出现： P沟道MOS管电路的分析与N沟道类似，但要注意 其电源极性与电流方向不同。 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 为使MOS管工作在放大区,VDD足够大,RD的作用将ID电流的变化,转换成vDS电压的变化,从而实现电压放大。 作负载线: vDS=VDD-iDRd 令vi=0， 其相应的坐标值为IDQ和VDSQ 曲线与负载线的交点就是静态工作点Q 故可在场效应管的输出特性上找出 则有:vGS=VGSQ=VGG Q iD vDS 0 VDSQ vds vGS=VGG vi id IDQ 0 Q1 Q2 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 场效应管工作在放大区时，也看成一个双口网络 栅极与源极为输入端口 漏极与源极为输出端口 iD= f (vGS ，vDS) iG= 0 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 rds为FET共源极输出电阻 故 为跨导 式中 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 小信号的条件 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 ??0时 高频小信号模型 输入没有电流，开路 3. 小信号模型分析 例5.2.4 （2）放大电路分析 解：① 静态分析，求ID VDS： （放大区） ② 画交流等效电路，求gm rds ③ 动态分析，求Av 共源电路为倒相电压放大电路 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s ② 画交流等效电路，求gm rds 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s ③ 动态分析，求Av Ri Ro 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏（共集） 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 MOFET三种基本放大电路的比较 书221页表5.2.1 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 作业 5.2.3 5.2.4 5.2.5 晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。 * * 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。 * * 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同