复旦大学集成电路工艺原理1.pptVIP

* Actual cross-section of a modern microprocessor chip from IBM W Cu * IC技术发展历程 1960s BJT 气相掺杂＋外延 p-n结隔离 6－8次光刻 * IC技术发展历程 1970s E/D NMOS LOCOS隔离技术 LOCal Oxidation of Silicon 耗尽型NMOS面积减小，集成度提高 光刻版数量与BJT相近 E D * IC技术发展历程 1980s CMOS 低功耗、散热 集成度提高 12～14块光刻版 * 最简单的IC CMOS工艺举例 反相器 或非门 * IC技术发展历程 1990s BiCMOS CMOS实现高集成度的内部电路 BJT实现输出驱动电路 光刻版20块 CMOS BJT * 本节课主要内容 CMOS工艺： 光刻、氧化、扩散、刻蚀等 硅技术的历史沿革和未来发展趋势： 晶体管的诞生 集成电路的发明 平面工艺的发明 CMOS技术的发明 摩尔定律（Moore’s law） VLSI、SoC、SIP Constant-field等比例缩小原则 ITRS：技术代/节点 * * * * INFO130024.01 集成电路工艺原理 第一讲 前言 * 集成电路工艺原理 * 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 * 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 * W. Shockley J. Bardeen W. Brattain 1st point contact transistor in 1947 -- by Bell Lab 1956年诺贝尔物理奖 点接触晶体管：基片是N型锗，发射极和集电极是两根金属丝。这两根金属丝尖端很细，靠得很近地压在基片上。金属丝间的距离：~50μm * 不足之处: 可靠性低、噪声大、放大率低等缺点 * 1948年 W. Shockley 提出结型晶体管概念 1950年 第一只NPN结型晶体管 * Ti 公司的Kilby 12个器件，Ge 晶体 * (Fairchild Semi.) Si IC * J. Kilby－TI 2000诺贝尔物理奖 R. Noyce－Fairchild 半导体Ge，Au线 半导体Si，Al线 * 简短回顾：一项基于科学的伟大发明 Bardeen, Brattain, Shockley, First Ge-based bipolar transistor invented 1947, Bell Labs. Nobel prize Kilby (TI) Noyce (Fairchild), Invention of integrated circuits 1959, Nobel prize Atalla, First Si-based MOSFET invented 1960, Bell Labs. Planar technology, Jean Hoerni, 1960, Fairchild First CMOS circuit invented 1963, Fairchild “Moore’s law” coined 1965, Fairchild Dennard, scaling rule presented 1974, IBM First Si technology roadmap published 1994, USA * SSI?(小型集成电路)，晶体管数?10~100，门数10???MSI?(中型集成电路)，晶体管数?100~1,000，10门数100 ??LSI?(大规模集成电路)，晶体管数?1,000~100,000，门数100??VLSI?(超大规模集成电路)，晶体管数?100,000~?1,000,000 ULSI (特大规模集成电路) ，晶体管数1,000,000 GSI (极大规模集成电路) ，晶体管数109 SoC－－system-on-a-chip/SIP－－system in packaging